초록 ▼

본 발명의 과제는, 설계한 대로의 위상 시프트 패턴이 형성되고, 패턴의 탈락에 의한 결함 발생의 기회를 늘리지 않는 것이다.투명 기판(11) 상의 차광막(13)을 패터닝하여, 비위상 시프트 투광부(15)와 차광부(14)를 형성함과 함께, 위상 시프트 투광부(17)의 영역 내에 있어서, 그 영역보다 작은 차광막(13)을 갖는 잠정 패턴(23a)을 형성한다.이어서, 투명 기판(11) 상에, 위상 시프트 투광부(17)의 영역 내에, 차광부(14)의 영역에 잔존하는 차광막(13) 상의 레지스트 높이보다, 레지스트 높이가 낮은 부분(25a)

본 발명의 과제는, 설계한 대로의 위상 시프트 패턴이 형성되고, 패턴의 탈락에 의한 결함 발생의 기회를 늘리지 않는 것이다.투명 기판(11) 상의 차광막(13)을 패터닝하여, 비위상 시프트 투광부(15)와 차광부(14)를 형성함과 함께, 위상 시프트 투광부(17)의 영역 내에 있어서, 그 영역보다 작은 차광막(13)을 갖는 잠정 패턴(23a)을 형성한다.이어서, 투명 기판(11) 상에, 위상 시프트 투광부(17)의 영역 내에, 차광부(14)의 영역에 잔존하는 차광막(13) 상의 레지스트 높이보다, 레지스트 높이가 낮은 부분(25a)을 갖는, 제2 레지스트 패턴(25)을 형성한다.제2 레지스트 패턴(25)을 마스크로 하여, 잠정 패턴(23a)을 에칭에 의해 제거하고, 투명 기판(11)의 표면을 일부 노출시키고, 또한 웨트 에칭을 실시하여 위상 시프트 투광부(17)를 형성한다.

대표청구항 ▼

투명 기판 상에, 차광부와, 비위상 시프트 투광부와, 위상 시프트 투광부를 포함하는 전사용 패턴을 구비한, 포토마스크의 제조 방법으로서,상기 투명 기판 상에 형성한 차광막을 패터닝하여, 상기 차광막이 제거된 상기 비위상 시프트 투광부와, 상기 차광막이 잔존하는 상기 차광부를 형성함과 함께, 상기 위상 시프트 투광부의 영역 내에 있어서, 상기 위상 시프트 투광부의 영역보다 작은 상기 차광막을 갖는 잠정 패턴을 형성하는, 차광막 패터닝 공정과,상기 차광막의 패터닝이 이루어진 상기 투명 기판 상에, 레지스트막을 형성하는 공정과,상기 레지

투명 기판 상에, 차광부와, 비위상 시프트 투광부와, 위상 시프트 투광부를 포함하는 전사용 패턴을 구비한, 포토마스크의 제조 방법으로서,상기 투명 기판 상에 형성한 차광막을 패터닝하여, 상기 차광막이 제거된 상기 비위상 시프트 투광부와, 상기 차광막이 잔존하는 상기 차광부를 형성함과 함께, 상기 위상 시프트 투광부의 영역 내에 있어서, 상기 위상 시프트 투광부의 영역보다 작은 상기 차광막을 갖는 잠정 패턴을 형성하는, 차광막 패터닝 공정과,상기 차광막의 패터닝이 이루어진 상기 투명 기판 상에, 레지스트막을 형성하는 공정과,상기 레지스트막에 대해 묘화와 현상을 행함으로써, 상기 위상 시프트 투광부의 영역 내에, 상기 차광부의 영역에 잔존하는 상기 차광막 상의 레지스트 높이보다, 레지스트 높이가 낮은 부분을 갖는, 레지스트 패턴을 형성하는 공정과,상기 레지스트 패턴, 또는, 상기 레지스트 패턴의 적어도 일부분의 두께를 저감시켜 형성한 감막 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 상기 잠정 패턴을 에칭에 의해 제거하고, 상기 투명 기판의 표면을 일부 노출시키는, 기판 노출 공정과,상기 투명 기판의 일부 노출된 부분에 대해, 웨트 에칭을 실시함으로써 상기 위상 시프트 투광부를 형성하는, 기판 에칭 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조 방법.