초록 ▼

본 발명은 로딩효과로 인한 CD 정밀도의 저하가 문제가 되는 포토 마스크(10)의 제조에 관한 것으로서, 로딩효과를 억제하기 위한 방법을 제공하는 것이다.투광성 기판(1) 위에, 투광성 기판(1) 위의 면내에서 대역의 개구율 차를 갖는 크롬패턴(21)이 형성된 포토 마스크(10)의 제조방법에서, 크롬막(2)의 에칭 마스크로서, 상기 크롬막(2)의 에칭에 대해 내성을 갖는 무기계 재료로 이루어진 에칭 마스크 패턴(31)을 이용한다.레지스트 패턴(41)을 마스크로 크롬막(2)을 에칭할 경우에 허용할 수 없을 정도로 레지스트 패턴(41)

본 발명은 로딩효과로 인한 CD 정밀도의 저하가 문제가 되는 포토 마스크(10)의 제조에 관한 것으로서, 로딩효과를 억제하기 위한 방법을 제공하는 것이다.투광성 기판(1) 위에, 투광성 기판(1) 위의 면내에서 대역의 개구율 차를 갖는 크롬패턴(21)이 형성된 포토 마스크(10)의 제조방법에서, 크롬막(2)의 에칭 마스크로서, 상기 크롬막(2)의 에칭에 대해 내성을 갖는 무기계 재료로 이루어진 에칭 마스크 패턴(31)을 이용한다.레지스트 패턴(41)을 마스크로 크롬막(2)을 에칭할 경우에 허용할 수 없을 정도로 레지스트 패턴(41)에 대해 데미지가 발생하는 것과 같은 조건으로부터 선정된 조건에서 크롬막(2)의 드라이 에칭을 수행한다.

대표청구항 ▼

투광성 기판 위에, 상기 투광성 기판 위의 면 내에서 대역(大域)의 개구율 차를 갖는 크롬 패턴이 형성된 포토 마스크의 제조방법으로서,상기 투광성 기판 위에, 상기 크롬 패턴을 형성하기 위한 크롬막, 상기 크롬막의 에칭에 대해 내성을 갖는 무기계 재료로 이루어진 에칭 마스크용 막, 및 레지스트막을 적어도 갖는 포토 마스크 블랭크를 준비하는 공정과,상기 레지스트막에 원하는 패턴을 노광, 현상함으로써 레지스트 패턴을 형성하는 공정과,상기 레지스트 패턴을 마스크로 하고 상기 에칭 마스크용 막에 드라이 에칭처리를 실시하여 에칭 마스크 패턴

투광성 기판 위에, 상기 투광성 기판 위의 면 내에서 대역(大域)의 개구율 차를 갖는 크롬 패턴이 형성된 포토 마스크의 제조방법으로서,상기 투광성 기판 위에, 상기 크롬 패턴을 형성하기 위한 크롬막, 상기 크롬막의 에칭에 대해 내성을 갖는 무기계 재료로 이루어진 에칭 마스크용 막, 및 레지스트막을 적어도 갖는 포토 마스크 블랭크를 준비하는 공정과,상기 레지스트막에 원하는 패턴을 노광, 현상함으로써 레지스트 패턴을 형성하는 공정과,상기 레지스트 패턴을 마스크로 하고 상기 에칭 마스크용 막에 드라이 에칭처리를 실시하여 에칭 마스크 패턴을 형성하는 공정과, 상기 에칭 마스크 패턴을 마스크로 하고, 상기 크롬막에 드라이 에칭을 실시하여 상기 크롬 패턴을 형성하는 공정을 포함하며,상기 크롬막의 드라이 에칭은, 상기 레지스트 패턴을 마스크로 상기 크롬막을 할로겐 함유 가스 및 산소 함유 가스를 포함하는 혼합 가스로 에칭하는 경우에, 이온과 라디칼의 비율이 동일해질 때까지 이온성을 높인 조건으로 행하고,상기 크롬 패턴은, 상층에 CrN, CrC, CrCO, CrCN, CrON 및 CrCON 중 어느 하나를 적어도 포함하는 복수층으로 이루어지며,상기 에칭 마스크 패턴은, 몰리브덴, 실리콘, 탄탈 및 텅스텐 중 어느 하나를 적어도 포함하는 재료로 이루어진 것을 특징으로 하는 포토 마스크의 제조방법.