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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2014-0150882 (2014-11-03) | |
공개번호 | 10-2015-0076069 (2015-07-06) | |
등록번호 | 10-1742358-0000 (2017-05-25) | |
우선권정보 | 일본(JP) JP-P-2013-268239 (2013-12-26) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020140150882 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2014-11-03) | |
심사진행상태 | 등록결정(재심사후) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명의 과제는, 설계한 대로의 위상 시프트 패턴이 형성되고, 패턴의 탈락에 의한 결함 발생의 기회를 늘리지 않는 것이다.투명 기판(11) 상의 차광막(13)을 패터닝하여, 비위상 시프트 투광부(15)와 차광부(14)를 형성함과 함께, 위상 시프트 투광부(17)의 영역 내에 있어서, 그 영역보다 작은 차광막(13)을 갖는 잠정 패턴(23a)을 형성한다.이어서, 투명 기판(11) 상에, 위상 시프트 투광부(17)의 영역 내에, 차광부(14)의 영역에 잔존하는 차광막(13) 상의 레지스트 높이보다, 레지스트 높이가 낮은 부분(25a)
투명 기판 상에, 차광부와, 비위상 시프트 투광부와, 위상 시프트 투광부를 포함하는 전사용 패턴을 구비한, 포토마스크의 제조 방법으로서,상기 투명 기판 상에 형성한 차광막을 패터닝하여, 상기 차광막이 제거된 상기 비위상 시프트 투광부와, 상기 차광막이 잔존하는 상기 차광부를 형성함과 함께, 상기 위상 시프트 투광부의 영역 내에 있어서, 상기 위상 시프트 투광부의 영역보다 작은 상기 차광막을 갖는 잠정 패턴을 형성하는, 차광막 패터닝 공정과,상기 차광막의 패터닝이 이루어진 상기 투명 기판 상에, 레지스트막을 형성하는 공정과,상기 레지
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