초록 ▼

EUV 노광기의 노광 광원이 고파워화된 경우에 있어서도, 보호막과 이것에 인접하는 위상 시프트막 패턴의 재료 사이에서, 열 확산에 의한 상호 확산에 의해 EUV광에 대한 반사율이 변동되어 버리는 것을 억지할 수 있는 반사형 마스크 블랭크 및 이것에 의해 제작되는 반사형 마스크를 제공하고, 또한 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다.기판(12) 위에 다층 반사막(13)과, 보호막(14)과, EUV광의 위상을 시프트시키는 위상 시프트막(16)이 이 순서로 형성된 반사형 마스크 블랭크로서, 보호막(14)은 루테늄을 주성분으로서 포함하는 재

EUV 노광기의 노광 광원이 고파워화된 경우에 있어서도, 보호막과 이것에 인접하는 위상 시프트막 패턴의 재료 사이에서, 열 확산에 의한 상호 확산에 의해 EUV광에 대한 반사율이 변동되어 버리는 것을 억지할 수 있는 반사형 마스크 블랭크 및 이것에 의해 제작되는 반사형 마스크를 제공하고, 또한 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다.기판(12) 위에 다층 반사막(13)과, 보호막(14)과, EUV광의 위상을 시프트시키는 위상 시프트막(16)이 이 순서로 형성된 반사형 마스크 블랭크로서, 보호막(14)은 루테늄을 주성분으로서 포함하는 재료를 포함하고, 위상 시프트막(16)은 탄탈륨을 포함하는 탄탈륨계 재료층을 갖고, 보호막(14)의 표면 위 또는 보호막(14)의 일부로서 위상 시프트층(16)과 접하는 측에, 위상 시프트막(16)과의 상호 확산을 억지하는 루테늄과 산소를 포함하는 확산 방지층(15)을 형성함으로써, 보호막(14)과 위상 시프트막 패턴의 재료 사이에서의 열 확산을 억지한다.

대표청구항

기판 위에 다층 반사막과, 보호막과, EUV광의 위상을 시프트시키는 위상 시프트막이 이 순서로 형성된 반사형 마스크 블랭크로서,상기 보호막은, 루테늄을 포함하는 재료를 포함하고,상기 위상 시프트막은, 탄탈륨을 포함하는 탄탈륨계 재료층을 갖고,상기 보호막 표면 위에, 또는, 상기 보호막의 일부로서 상기 위상 시프트막과 접하는 측에, 상기 위상 시프트막과의 상호 확산을 억지하는 루테늄과 산소를 포함하는 확산 방지층이 형성되고,상기 탄탈륨계 재료층이 상기 확산 방지층과 인접하고 있는 것을 특징으로 하는 반사형 마스크 블랭크.

기판 위에 다층 반사막과, 보호막과, EUV광의 위상을 시프트시키는 위상 시프트막이 이 순서로 형성된 반사형 마스크 블랭크로서,상기 보호막은, 루테늄을 포함하는 재료를 포함하고,상기 위상 시프트막은, 탄탈륨을 포함하는 탄탈륨계 재료층을 갖고,상기 보호막 표면 위에, 또는, 상기 보호막의 일부로서 상기 위상 시프트막과 접하는 측에, 상기 위상 시프트막과의 상호 확산을 억지하는 루테늄과 산소를 포함하는 확산 방지층이 형성되고,상기 탄탈륨계 재료층이 상기 확산 방지층과 인접하고 있는 것을 특징으로 하는 반사형 마스크 블랭크.