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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2014-0193802 (2014-12-30) | |
공개번호 | 10-2016-0080763 (2016-07-08) | |
등록번호 | 10-1730226-0000 (2017-04-19) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020140193802 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2014-12-30) | |
심사진행상태 | 등록결정(재심사후) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명의 일 실시예로서, 혈관 내 초음파 (IVUS) 변환자의 제조 방법 및 그 IVUS 변환자가 제공될 수 있다.본 발명의 일 실시예에 따른 방법은 정합층, 압전소자, 흡음층을 적층하여 IVUS 스택을 생성하는 단계, 절삭기기를 이용하여 IVUS 스택 중 흡음층의 일부를 제거하는 서브다이싱 단계, 서브다이싱을 통하여 생성된 흡음층의 치폭에 비전도성 물질을 충전하는 단계 및 충전된 비전도성 물질의 경화 후, 절삭기기를 이용하여 소정의 크기로 다이싱하여 적어도 하나의 단일소자 IVUS 스택을 생성하는 단계를 포함할 수 있다.
혈관 내 초음파(IVUS) 변환자의 제조 방법에 있어서, 정합층, 압전소자, 흡음층을 적층하여 IVUS 스택을 생성하는 단계; 절삭기기를 이용하여 상기 IVUS 스택 중 상기 흡음층의 일부를 제거하는 서브다이싱 단계;상기 서브다이싱을 통하여 생성된 상기 흡음층의 치폭에 비전도성 물질을 충전하는 단계; 상기 충전된 비전도성 물질의 경화 후, 상기 절삭기기를 이용하여 소정의 크기로 다이싱하여 적어도 하나의 단일소자 IVUS 스택을 생성하는 단계; 및상기 비전도성 물질이 충진되어 형성된 영역과 상응하는 상기 단일소자 IVUS 스택의 전면
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