초록 ▼

[과제] 신규한 페닐나프틸아민 노볼락 수지 등의 디아릴아민 노볼락 수지, 나아가 이 수지를 이용한 반도체 장치 제조의 리소그래피 프로세스에 이용하기 위한 레지스트 하층막 형성 조성물을 제공한다. [해결수단] 하기식(1): (식(1) 중, Ar1, 및 Ar2는 각각 벤젠환, 또는 나프탈렌환을 나타낸다)로 표시되는 단위구조(A)를 포함하는 폴리머.반도체 기판에 레지스트 하층막 형성 조성물에 의해 하층막을 형성하는 공정, 그 위에 하드 마스크를 형성하는 공정, 다시 그 위에 레지스트막을 형성하는 공정, 광 또는 전자선의 조사와 현상에 의

[과제] 신규한 페닐나프틸아민 노볼락 수지 등의 디아릴아민 노볼락 수지, 나아가 이 수지를 이용한 반도체 장치 제조의 리소그래피 프로세스에 이용하기 위한 레지스트 하층막 형성 조성물을 제공한다. [해결수단] 하기식(1): (식(1) 중, Ar1, 및 Ar2는 각각 벤젠환, 또는 나프탈렌환을 나타낸다)로 표시되는 단위구조(A)를 포함하는 폴리머.반도체 기판에 레지스트 하층막 형성 조성물에 의해 하층막을 형성하는 공정, 그 위에 하드 마스크를 형성하는 공정, 다시 그 위에 레지스트막을 형성하는 공정, 광 또는 전자선의 조사와 현상에 의해 레지스트 패턴을 형성하는 공정, 레지스트 패턴에 의해 하드 마스크를 에칭하는 공정, 패턴화된 하드 마스크에 의해 이 하층막을 에칭하는 공정, 및 패턴화된 하층막에 의해 반도체 기판을 가공하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조방법.

대표청구항 ▼

하기 식(1):(식(1) 중, Ar1, 및 Ar2는 각각 벤젠환, 또는 나프탈렌환을 나타내고, R1 및 R2는 각각 이들 환상의 수소원자의 치환기이고 할로겐기, 니트로기, 아미노기, 하이드록시기, 탄소원자수 1 내지 10의 알킬기, 탄소원자수 2 내지 10의 알케닐기, 탄소원자수 6 내지 40의 아릴기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되며, 또한, 이 알킬기, 이 알케닐기 및 이 아릴기는, 에테르 결합, 케톤 결합, 혹은 에스테르 결합을 포함하고 있을 수도 있는 유기기를 나타내고,R3은 수소원자, 탄소원자수 1 내지 1

하기 식(1):(식(1) 중, Ar1, 및 Ar2는 각각 벤젠환, 또는 나프탈렌환을 나타내고, R1 및 R2는 각각 이들 환상의 수소원자의 치환기이고 할로겐기, 니트로기, 아미노기, 하이드록시기, 탄소원자수 1 내지 10의 알킬기, 탄소원자수 2 내지 10의 알케닐기, 탄소원자수 6 내지 40의 아릴기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되며, 또한, 이 알킬기, 이 알케닐기 및 이 아릴기는, 에테르 결합, 케톤 결합, 혹은 에스테르 결합을 포함하고 있을 수도 있는 유기기를 나타내고,R3은 수소원자, 탄소원자수 1 내지 10의 알킬기, 탄소원자수 2 내지 10의 알케닐기, 탄소원자수 6 내지 40의 아릴기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되며, 또한, 이 알킬기, 이 알케닐기 및 아릴기는, 에테르 결합, 케톤 결합, 혹은 에스테르 결합을 포함하고 있을 수도 있는 유기기를 나타내고,R4는 탄소원자수 6 내지 40의 아릴기 및 복소환기로 이루어진 군으로부터 선택되며, 또한, 이 아릴기 및 이 복소환기는, 할로겐기, 니트로기, 아미노기, 탄소원자수 1 내지 10의 알킬기, 탄소원자수 1 내지 10의 알콕시기, 탄소원자수 6 내지 40의 아릴기, 포밀기, 카르복실기, 또는 수산기로 치환되어 있을 수도 있는 유기기를 나타내고,R5는 수소원자, 탄소원자수 1 내지 10의 알킬기, 탄소원자수 6 내지 40의 아릴기, 및 복소환기로 이루어진 군으로부터 선택되며, 또한, 이 알킬기, 이 아릴기 및 이 복소환기는, 할로겐기, 니트로기, 아미노기, 혹은 수산기로 치환되어 있을 수도 있는 유기기를 나타내고, 그리고 R4와 R5는 이들이 결합되는 탄소원자와 하나가 되어 환을 형성하고 있을 수도 있다.n1 및 n2는 각각 0 내지 3의 정수이다.)로 표시되는 단위구조(A)에 있어서,Ar1과 Ar2는, 어느 한쪽이 벤젠환이고 다른 한쪽이 나프탈렌환이고, R3은 수소원자, 탄소원자수 1 내지 10의 알킬기, 탄소원자수 2 내지 10의 알케닐기, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되며, 또한, 이 알킬기 및 이 알케닐기는, 에테르 결합, 케톤 결합, 혹은 에스테르 결합을 포함하고 있을 수도 있는 유기기를 나타내는 단위구조(a1)를 포함하는 폴리머.