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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2014-7011557 (2014-04-29) | |
공개번호 | 10-2014-0080519 (2014-06-30) | |
등록번호 | 10-1825111-0000 (2018-01-29) | |
우선권정보 | 인도(IN) 3693/CHE/2011 (2011-10-28) | |
국제출원번호 | PCT/IB2011/003086 (2011-12-20) | |
국제공개번호 | WO 2013/061108 (2013-05-02) | |
번역문제출일자 | 2014-04-29 | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020147011557 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2014-04-29) | |
심사진행상태 | 등록결정(재심사후) | |
법적상태 | 소멸 |
본 발명의 일 실시예에 따르면 압전 장치를 제조하는 방법이 제공된다.방법은, 기판을 제공하는 단계 및 그 기판의 제1 표면 상에 나노결정 다이아몬드 층을 형성하는 단계를 포함한다.방법은 또한 나노결정 다이아몬드의 제1 표면 상에 압전 장치를 증착하는 단계를 포함한다.
압전 장치를 제조하는 방법에 있어서,기판을 제공하는 단계;상기 기판의 제1 표면 상에 나노결정성 다이아몬드(NCD)층을 형성하는 단계; 및상기 나노결정성 다이아몬드 층의 제1 표면 상에 직접적으로 페로브스카이트 압전층을 증착(deposit)하는 단계를 포함하고,상기 페로브스카이트 압전층은 PZT(lead zirconate titanate) 및 PLZT(lead lanthanum zirconate titanate)로 구성되는 그룹으로부터 선택되고, 상기 증착된 페로브스카이트 압전층은 525도씨로부터 600도씨의 온도에서 30분 내지
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