초록 ▼

과제: 동일한 도가니 중의 원료 융액으로부터 복수개의 단결정 실리콘을 인상(pulling up)하는 멀티 풀링법(multi-pulling method)을 이용하여 단결정 실리콘을 육성하는 경우에, 단결정 실리콘의 전위(dislocation)의 발생을 저감하는 것이 가능한 단결정 실리콘의 제조 방법을 제공한다.해결 수단: 단결정 실리콘의 제조 방법은, 초크랄스키법(Czochralski method)에 의해 챔버 내에서 동일한 도가니(8) 중의 원료 융액(7)으로부터 복수개의 단결정 실리콘(1)을 인상하는 멀티 풀링법을 이용하는 단결정

과제: 동일한 도가니 중의 원료 융액으로부터 복수개의 단결정 실리콘을 인상(pulling up)하는 멀티 풀링법(multi-pulling method)을 이용하여 단결정 실리콘을 육성하는 경우에, 단결정 실리콘의 전위(dislocation)의 발생을 저감하는 것이 가능한 단결정 실리콘의 제조 방법을 제공한다.해결 수단: 단결정 실리콘의 제조 방법은, 초크랄스키법(Czochralski method)에 의해 챔버 내에서 동일한 도가니(8) 중의 원료 융액(7)으로부터 복수개의 단결정 실리콘(1)을 인상하는 멀티 풀링법을 이용하는 단결정 실리콘(1)의 제조 방법으로서, 자기장에서 단결정 실리콘(1)을 육성하는 단계를 포함하며, 대구경(large-diameter) 도가니(8)의 내벽에 형성되는 바륨의 첨가량을 일정 범위 내로 제어하는 것인 제조 방법을 가리킨다.

대표청구항 ▼

초크랄스키법(Czochralski method)에 의해 챔버 내에서 동일한 도가니 중의 원료 융액으로부터 복수개의 단결정 실리콘을 인상(pulling up)하는 멀티 풀링법(multi-pulling method)을 이용하는 단결정 실리콘의 제조 방법으로서,상기 도가니에서 상기 원료 융액을 제조하는 단계로서, 여기서 도가니는 직경이 24 인치, 32 인치 또는 40 인치이고, 도가니의 내벽에 바륨을 함유하는 층이 형성되어 있으며, 상기 바륨의 양은 도가니의 직경이 24 인치인 경우 2.2×1014 atomsㆍcm-2 이상, 1.1×1

초크랄스키법(Czochralski method)에 의해 챔버 내에서 동일한 도가니 중의 원료 융액으로부터 복수개의 단결정 실리콘을 인상(pulling up)하는 멀티 풀링법(multi-pulling method)을 이용하는 단결정 실리콘의 제조 방법으로서,상기 도가니에서 상기 원료 융액을 제조하는 단계로서, 여기서 도가니는 직경이 24 인치, 32 인치 또는 40 인치이고, 도가니의 내벽에 바륨을 함유하는 층이 형성되어 있으며, 상기 바륨의 양은 도가니의 직경이 24 인치인 경우 2.2×1014 atomsㆍcm-2 이상, 1.1×1015 atomsㆍcm-2 이하이고, 도가니의 직경이 32 인치인 경우 5.4×1013 atomsㆍcm-2 이상, 2.2×1014 atomsㆍcm-2 이하이며, 또는 도가니의 직경이 40 인치인 경우 1.1×1013 atomsㆍcm-2 이상, 5.4×1013 atomsㆍcm-2 이하인 단계;상기 원료 융액으로부터 단결정 실리콘을 인상하는 단계;상기 원료 융액의 가열을 지속하면서, 단결정 실리콘을 인상한 후에 잔존하는 상기 원료 융액에 다결정 원료를 추가 투입하고 상기 원료 융액에서 다결정 원료를 융해하는 단계; 및상기 다결정 원료를 추가 투입하고 융해시킨 상기 원료 융액으로부터 다음 단결정 실리콘을 인상하는 단계를 포함하며,상기 다결정 원료를 추가 투입하고 융해시키는 단계와 다음 단결정 실리콘을 인상하는 단계는 1회 이상 반복되고,상기 단결정 실리콘을 인상하는 단계, 및 1회 이상 반복되는 다음 단결정 실리콘을 인상하는 단계 중 하나 이상의 단계에서는 자기장에서 상기 단결정 실리콘이 육성되는 것인, 단결정 실리콘의 제조 방법.