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고분자 이온교환막 및 이의 제조 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01M-008/10
  • H01M-008/04
출원번호 10-2015-0038456 (2015-03-19)
공개번호 10-2015-0111852 (2015-10-06)
등록번호 10-1860499-0000 (2018-05-16)
우선권정보 대한민국(KR) 1020140035474 (2014-03-26)
DOI http://doi.org/10.8080/1020150038456
발명자 / 주소
  • 이영무 / 서울특별시 서초구 서초대로**길 **-**, ***동 ****호(서초동, 서초래미안아파트)
  • 박치훈 / 서울특별시 강남구 남부순환로***길 **, ***호 (도곡동)
  • 황두성 / 서울특별시 송파구 오금로**길 **, ***동 ****호(방이동, 코오롱아파트)
  • 이소영 / 서울특별시 관악구 신림로**길 *, ***동 ***호 (신림동, 신림현대아파트)
  • 신동원 / 서울특별시 은평구 은평터널로 ***, ***동 ****호 (신사동, 현대*차아파트)
출원인 / 주소
  • 한양대학교 산학협력단 / 서울특별시 성동구 왕십리로 ***(행당동, 한양대학교내)
대리인 / 주소
  • 특허법인충현
심사청구여부 있음 (2015-03-19)
심사진행상태 등록결정(재심사후)
법적상태 등록

초록

고온 저가습 조건에서 자기 수화 능력을 나타내는 고분자 이온교환막, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 고분자 전해질형 연료 전지 시스템에 관한 것으로서, 상기 고분자 전해질 막은 탄화수소계수소 이온 전도성 고분자 막을 포함하고, 소수성 표면에 나노-크랙이 형성되어, 저가습 조건에서 고분자 전해질 막의 이온 전도성과 자기 수화 능력을 가짐으로써 전해질로서 전기화학적성능을 비약적으로 향상시켰다.

대표청구항

하기 화학식 1로 표현되는 제1 반복 단위 및 하기 화학식 2로 표현되는 제2 반복 단위를 포함하는 탄화수소계 고분자; 하기 화학식 3 또는 하기 화학식 4로 표현되는 탄화수소계 고분자를 포함하는 탄화수소계 수소 이온 전도성 고분자 막의 표면에 형성된 1 nm 내지 1000 nm 두께를 갖는 나노-크랙의 소수성 박막을 포함하는 고분자 전해질막 연료전지용 고분자 이온교환막으로서,상기 나노-크랙의 소수성 박막은 -CF2-, -CF3 또는 이들의 조합인 소수성 작용기를 포함하고,상기 고분자 전해질막 연료전지는 120℃의 고온 및 상대습도

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (3)

  1. [한국] 연료 전지용 막-전극 어셈블리, 고분자 전해질 막의 제조방법 및 연료 전지 시스템 | 김유미, 송민규, 박영미, 안성국, 권호진
  2. [한국] 고분자 전해질 막에 나노 표면 구조를 형성하기 위한 연료전지용 전극막 접합체 제조 방법 | 이광렬, 문명운, 김세훈, 안병기
  3. [한국] 통기성 멤브레인 및 이의 제조방법 | 디으도네, 마리, 드 도미니시스, 나타샤, 손따그, 필리프

이 특허를 인용한 특허 (2)

  1. [한국] 자기-가습성 이온교환 복합막 및 그 제조방법 | 이영무, 박상현, 문선주, 박현진
  2. [한국] 역 전기투석용 자기-가습성 막 및 그 제조방법 | 이영무, 박치훈, 이소영, 황두성, 신동원, 조두희, 이강혁
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