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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2015-0048187 (2015-04-06) | |
공개번호 | 10-2016-0119480 (2016-10-14) | |
등록번호 | 10-1680213-0000 (2016-11-22) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020150048187 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2015-04-06) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
실시예는 실리콘 단결정 잉곳의 성장 방법에 있어서, 성장 중인 잉곳과 실리콘 용융액의 계면이 수평면으로부터 아래로 1 밀리미터 내지 5 밀리미터로 형성되고, 성장되는 잉곳의 BMD 사이즈(size)가 55 나노미터 내지 65 나노미터인 실리콘 단결정 잉곳의 성장 방법을 제공한다.
실리콘 단결정 잉곳의 성장 방법에 있어서,성장중인 잉곳과 실리콘 용융액의 계면이 수평면으로부터 아래로 1 밀리미터 내지 5 밀리미터로 형성되고, 성장되는 잉곳의 비엠디(BMD) 사이즈(size)가 55 나노미터(nanometer) 내지 65 나노미터인 실리콘 단결정 잉곳의 성장 방법.
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