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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2015-0069849 (2015-05-19) | |
공개번호 | 10-2016-0136109 (2016-11-29) | |
등록번호 | 10-1712349-0000 (2017-02-27) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020150069849 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2015-05-19) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 음이온의 화학양론 제어를 통해 투명성 및 높은 전기전도도 특성을 갖는 단결정 구조의 주석질산화물 박막 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 주석질산화물 단결정박막의 제조방법은 스퍼터링 공정을 통해 기판 상에 SnOzN1-z(0.35<z<0.45)의 조성을 갖는 주석질산화물 단결정박막을 증착하며, 스퍼터링 공정 진행시, 반응챔버는 진공으로 유지되고, 타겟물질은 Sn타겟, SnO2타겟 중 어느 하나이고, 플라즈마 반응기체는 N2, NH3 중 어느 하나 또는 이들의 혼합기체인 것을 특징으로 한다.
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