초록

그래핀 직성장 방법은, 기판이 놓인 챔버 내에 탄소 함유 화합물을 포함하는 원료 기체와 게르마늄 함유 화합물을 포함하는 촉매 기체를 공급하는 단계를 포함한다. 이에 따라, 금속 촉매층을 사용하지 않고, 비금속성의 표면에 직접 그래핀이 성장될 수 있다.

대표청구항

그래핀이 직성장 될 타겟면을 가지는 기판을 챔버 내에 배치하는 단계; 및상기 챔버 내에 탄소 함유 화합물을 포함하는 원료 기체와 게르마늄 함유 화합물을 포함하는 촉매 기체를 공급하여 상기 타겟면 상에 그래핀층을 직성장시키는 단계;를 포함하며,상기 챔버 내의 압력은 10 Torr 내지 100 Torr이며,상기 타겟면 상에 그래핀층을 직성장시키는 단계에서 상기 원료 기체에 대한 상기 촉매 기체의 체적 유량 비율(volumetric flow rate)이 0.05 이상 0.2 이하로 조절되는 그래핀 직성장 방법.

그래핀이 직성장 될 타겟면을 가지는 기판을 챔버 내에 배치하는 단계; 및상기 챔버 내에 탄소 함유 화합물을 포함하는 원료 기체와 게르마늄 함유 화합물을 포함하는 촉매 기체를 공급하여 상기 타겟면 상에 그래핀층을 직성장시키는 단계;를 포함하며,상기 챔버 내의 압력은 10 Torr 내지 100 Torr이며,상기 타겟면 상에 그래핀층을 직성장시키는 단계에서 상기 원료 기체에 대한 상기 촉매 기체의 체적 유량 비율(volumetric flow rate)이 0.05 이상 0.2 이하로 조절되는 그래핀 직성장 방법.