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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2015-0104045 (2015-07-23) | |
공개번호 | 10-2017-0011428 (2017-02-02) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020150104045 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2015-07-23) | |
심사진행상태 | 거절결정(일반) | |
법적상태 | 거절 |
반도체 및 태양전지용 실리콘 단결정 생산에 사용되는 석영도가니에서 투명층의 기포밀도를 1%이하로 낮춘 고품위 석영도가니를 제작하는데 있어 용융공정의 최적화, graphite mold 최적화, 용융공정 시에 불활성가스의 투입으로 기포 안에 불활성가스를 장입하는 방법으로 고품위 석영도가니 제작을 실현한다.
제3도에서와 같이 석영도가니의 투명층 제조공정에서 수소, 알곤, 헬륨 또는 수소, 알곤, 헬륨 혼합가스를 공정불활성가스로 사용하여 석영도가니를 제작하는 방법
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