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연합인증

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이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.

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저기포밀도형 고품위 석영도가니 제조방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판)
  • C30B-015/12
  • C30B-015/10
  • C30B-029/06
출원번호 10-2015-0104045 (2015-07-23)
공개번호 10-2017-0011428 (2017-02-02)
DOI http://doi.org/10.8080/1020150104045
발명자 / 주소
  • 강현실 / 경기도 안산시 단원구 광덕*로 ** ,****동****호(초지동)
  • 주문철 / 경기도 시흥시 연성로**번길 ** ,***동***호(하중동,샛말대우아파트***동)
출원인 / 주소
  • 주식회사 크리스탈피플 / 경기도 안산시 상록구 한양대학로 **, ***호 (사동, 한양대학교창업보육센터)
심사청구여부 있음 (2015-07-23)
심사진행상태 거절결정(일반)
법적상태 거절

초록

반도체 및 태양전지용 실리콘 단결정 생산에 사용되는 석영도가니에서 투명층의 기포밀도를 1%이하로 낮춘 고품위 석영도가니를 제작하는데 있어 용융공정의 최적화, graphite mold 최적화, 용융공정 시에 불활성가스의 투입으로 기포 안에 불활성가스를 장입하는 방법으로 고품위 석영도가니 제작을 실현한다.

대표청구항

제3도에서와 같이 석영도가니의 투명층 제조공정에서 수소, 알곤, 헬륨 또는 수소, 알곤, 헬륨 혼합가스를 공정불활성가스로 사용하여 석영도가니를 제작하는 방법

이 특허에 인용된 특허 (1)

  1. [한국] 석영도가니 및 그 제조방법 | 미야오아츠로, 미스키요아키, 타카리키카즈히코, 카와카미이즈미, 키타노코우조우, 오바타나오유키, 야마구치히로시, 키무라후사키
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