초록 ▼

본 발명은 베이스, 다결정 실리콘층, 게이트 절연층, 제1 금속층, 제1 반도체층, 제2 금속층, 제2 반도체층, 유기 평탄화층을 포함하는 OLED 표시 장치 및 그 제조방법에 대하여 공개하였고, 여기서 일부 제2 금속층은 제1 영역에 위치하며 제2 반도체층과 제1 반도체층의 제1 전기적 연결 홀을 통하여 다결정 실리콘층과 연결되고, 초기화 전압(Vint)을 도입한다. 기존 기술에 비하여, 본 발명은 기존 기술에 따른 초기화 전압(Vint)의 배치 라인이 양극 재료를 사용하여 브레이싱 와이어(bracing wire)를 진행하여 상호

본 발명은 베이스, 다결정 실리콘층, 게이트 절연층, 제1 금속층, 제1 반도체층, 제2 금속층, 제2 반도체층, 유기 평탄화층을 포함하는 OLED 표시 장치 및 그 제조방법에 대하여 공개하였고, 여기서 일부 제2 금속층은 제1 영역에 위치하며 제2 반도체층과 제1 반도체층의 제1 전기적 연결 홀을 통하여 다결정 실리콘층과 연결되고, 초기화 전압(Vint)을 도입한다. 기존 기술에 비하여, 본 발명은 기존 기술에 따른 초기화 전압(Vint)의 배치 라인이 양극 재료를 사용하여 브레이싱 와이어(bracing wire)를 진행하여 상호 간에 간섭이 발생하는 문제를 극복할 수 있으며 개구 면적을 증가할 수 있다.

대표청구항 ▼

베이스와, 상기 베이스 상에 배치되는 다결정 실리콘층 및 게이트 절연층과, 상기 게이트 절연층 상에 배치되는 제1 금속층 및 제1 반도체층과, 상기 제1 반도체층 상에 배치되는 제2 금속층 및 제2 반도체층과, 상기 제2 반도체층 상에 배치되는 제3 금속층 및 유기 평탄화층을 포함하는 OLED 표시 장치에 있어서, 상기 다결정 실리콘층은 제1 영역에 위치하는 제1 영역 다결정 실리콘층과 제2 영역에 위치하는 제2 영역 다결정 실리콘층을 포함하고,일부의 상기 제2 금속층은 상기 제1 영역에 인접하여 배치되며,상기 제3 금속층은 초기화

베이스와, 상기 베이스 상에 배치되는 다결정 실리콘층 및 게이트 절연층과, 상기 게이트 절연층 상에 배치되는 제1 금속층 및 제1 반도체층과, 상기 제1 반도체층 상에 배치되는 제2 금속층 및 제2 반도체층과, 상기 제2 반도체층 상에 배치되는 제3 금속층 및 유기 평탄화층을 포함하는 OLED 표시 장치에 있어서, 상기 다결정 실리콘층은 제1 영역에 위치하는 제1 영역 다결정 실리콘층과 제2 영역에 위치하는 제2 영역 다결정 실리콘층을 포함하고,일부의 상기 제2 금속층은 상기 제1 영역에 인접하여 배치되며,상기 제3 금속층은 초기화 전압용 제3 금속층 및 양극용 제3 금속층을 포함하고, 상기 초기화 전압용 제3 금속층은 상기 제2 반도체층 및 상기 제1 반도체층을 관통하여 상기 제1 영역 다결정 실리콘층을 노출하는 제1 영역 제1 연결홀을 통해 상기 제1 영역 다결정 실리콘층과 연결되고, 상기 제2 반도체층을 관통하여 상기 제1 영역에 인접한 일부의 상기 제2 금속층을 노출하는 제2 연결홀을 통해 상기 제2 금속층과 연결되며,상기 양극용 제3 금속층은 상기 제2 영역 다결정 실리콘층을 노출하는 제2 영역 제1 연결홀을 통해 상기 제2 영역 다결정 실리콘층과 연결되는 것을 특징으로 하는 OLED 표시 장치.