초록 ▼

본 발명은 고속도금 조건하에서 주석-은 솔더 범프 고속 도금액으로, 주석이온 2.1 ~ 20wt%; 은이온 0.01 ~ 1.5wt%; 전도염 5.0 ~ 30wt%; N,N'-디이소프로필티오우레아, 디페닐티오우레아, 디메틸티오우레아, 디에틸티오우레아, 티오우레아 디옥사이드로 이루어진 그룹에서 일이상 선택되는 우레아 화합물 0.12 ~ 15wt%; 결정립조정제 0.3 ~ 10wt%; 평활제 0.8 ~ 8wt% 및 잔량의 초순수를 포함하여 이루어지는 주석-은 솔더 범프 고속 도금액에 관한 것이다.또한, 본 발명은 상기 주석-은 솔더 범프

본 발명은 고속도금 조건하에서 주석-은 솔더 범프 고속 도금액으로, 주석이온 2.1 ~ 20wt%; 은이온 0.01 ~ 1.5wt%; 전도염 5.0 ~ 30wt%; N,N'-디이소프로필티오우레아, 디페닐티오우레아, 디메틸티오우레아, 디에틸티오우레아, 티오우레아 디옥사이드로 이루어진 그룹에서 일이상 선택되는 우레아 화합물 0.12 ~ 15wt%; 결정립조정제 0.3 ~ 10wt%; 평활제 0.8 ~ 8wt% 및 잔량의 초순수를 포함하여 이루어지는 주석-은 솔더 범프 고속 도금액에 관한 것이다.또한, 본 발명은 상기 주석-은 솔더 범프 고속 도금액을 반도체 장치 등 전자 부품의 기판상에 접촉시키고 3.0 ~ 20 A/dm2의 전류 밀도를 인가하고, 도금속도 1.5 ~ 10 μm/min로 도금하고, 주석-은 솔더 범프 내 은의 함량이 1.0 ~ 4.0wt% 인 것을 특징으로 하는 주석-은 솔더 범프 고속 도금 방법을 제공한다.본 발명에 따른 주석-은 솔더 범프 고속 도금액 및 이를 이용한 고속 도금방법은 고속 도금 조건에서 안정적인 도금속도와 범프 은 함량을 가져, 매끄러운 도금 표면, 균일한 범프 간의 크기를 원활하게 형성할 수 있는 이점이 있다.

대표청구항 ▼

고속도금 조건하에서 주석-은 솔더 범프 고속 도금액으로,주석이온 2.1 ~ 20wt%;은이온 0.01 ~ 1.5wt%;전도염 5.0 ~ 30wt%;N,N'-디이소프로필티오우레아, 디페닐티오우레아, 티오우레아 디옥사이드로 이루어진 그룹에서 일이상 선택되는 우레아 화합물 0.12 ~ 15wt%;결정립조정제로 폴리에틸렌/프로필렌글리콜 β나프톨 공중합체 0.3 ~ 10wt%;평활제 0.8 ~ 8wt% 및 잔량의 초순수를 포함하여 이루어지고,반도체 장치 등 전자 부품의 기판상에 접촉시키고 1 ~ 20 A/dm2의 전류 밀도를 인가하고, 도금

고속도금 조건하에서 주석-은 솔더 범프 고속 도금액으로,주석이온 2.1 ~ 20wt%;은이온 0.01 ~ 1.5wt%;전도염 5.0 ~ 30wt%;N,N'-디이소프로필티오우레아, 디페닐티오우레아, 티오우레아 디옥사이드로 이루어진 그룹에서 일이상 선택되는 우레아 화합물 0.12 ~ 15wt%;결정립조정제로 폴리에틸렌/프로필렌글리콜 β나프톨 공중합체 0.3 ~ 10wt%;평활제 0.8 ~ 8wt% 및 잔량의 초순수를 포함하여 이루어지고,반도체 장치 등 전자 부품의 기판상에 접촉시키고 1 ~ 20 A/dm2의 전류 밀도를 인가하고, 도금속도 1.5 ~ 10 μm/min로 도금하는 것을 특징으로 하는 주석-은 솔더 범프 고속 도금액.