시마다, 켄지
/ 일본, 도쿄 *******, 카츠시카-구, 니이주쿠 *쵸메, *-*, 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니 인코포레이티드 도쿄연구소내
오이에, 토시유키
/ 일본, 도쿄 *******, 카츠시카-구, 니이주쿠 *쵸메, *-*, 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니 인코포레이티드 도쿄연구소내
나카야마, 료타
/ 일본, 도쿄 *******, 카츠시카-구, 니이주쿠 *쵸메, *-*, 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니 인코포레이티드 도쿄연구소내
오토, 마사루
/ 일본, 도쿄 *******, 카츠시카-구, 니이주쿠 *쵸메, *-*, 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니 인코포레이티드 도쿄연구소내
출원인 / 주소
미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 / 일본 도꾜 ***-**** 찌요다구 마루노우찌 *-쪼메 *-*
대리인 / 주소
특허법인씨엔에스
심사청구여부
있음 (2016-07-29)
심사진행상태
등록결정(일반)
법적상태
등록
초록▼
과산화수소를 10~30질량%, 4급 암모늄수산화물을 0.005~10질량%, 수산화칼륨을 0.005~5질량%, 아미노폴리메틸렌포스폰산을 0.000005~0.005질량% 및 물을 포함한 세정액으로 세정함으로써, 저유전율 층간절연막(4), 구리 혹은 구리합금 등의 배선재료(2), 배리어 메탈(1) 및 배리어 절연막(3)을 부식하는 일 없이, 하드마스크(5), 오가노실록산계 박막(6), 드라이에칭 잔사(8) 및 포토레지스트(7)를 제거할 수 있다.또한, 본 발명의 바람직한 태양에 따르면, 세정액에 산을 첨가한 경우에도 구리배선의 데미지를
과산화수소를 10~30질량%, 4급 암모늄수산화물을 0.005~10질량%, 수산화칼륨을 0.005~5질량%, 아미노폴리메틸렌포스폰산을 0.000005~0.005질량% 및 물을 포함한 세정액으로 세정함으로써, 저유전율 층간절연막(4), 구리 혹은 구리합금 등의 배선재료(2), 배리어 메탈(1) 및 배리어 절연막(3)을 부식하는 일 없이, 하드마스크(5), 오가노실록산계 박막(6), 드라이에칭 잔사(8) 및 포토레지스트(7)를 제거할 수 있다.또한, 본 발명의 바람직한 태양에 따르면, 세정액에 산을 첨가한 경우에도 구리배선의 데미지를 억제하고, 세정액에 티탄을 첨가한 경우에도 큰 과산화수소의 분해를 일으키지 않는다.
대표청구항▼
배리어 메탈과, 구리배선 혹은 구리합금배선과, 저유전율 층간절연막을 갖는 기판 상에, 배리어 절연막, 저유전율 층간절연막, 하드마스크, 오가노실록산계 박막, 및 포토레지스트를 차례로 적층한 후, 이 포토레지스트에 선택적 노광 및 현상처리를 실시하고, 포토레지스트 패턴을 형성하고, 이어서, 이 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여, 상기 오가노실록산계 박막, 하드마스크, 저유전율 층간절연막 및 배리어 절연막에 드라이에칭처리를 실시한 반도체소자를 세정하여, 상기 오가노실록산계 박막, 하드마스크, 드라이에칭 잔사 및 포토레지스트를 제거하는
배리어 메탈과, 구리배선 혹은 구리합금배선과, 저유전율 층간절연막을 갖는 기판 상에, 배리어 절연막, 저유전율 층간절연막, 하드마스크, 오가노실록산계 박막, 및 포토레지스트를 차례로 적층한 후, 이 포토레지스트에 선택적 노광 및 현상처리를 실시하고, 포토레지스트 패턴을 형성하고, 이어서, 이 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여, 상기 오가노실록산계 박막, 하드마스크, 저유전율 층간절연막 및 배리어 절연막에 드라이에칭처리를 실시한 반도체소자를 세정하여, 상기 오가노실록산계 박막, 하드마스크, 드라이에칭 잔사 및 포토레지스트를 제거하는 세정액으로서, 과산화수소를 10~30질량%, 4급 암모늄수산화물을 0.005~10질량%, 수산화칼륨을 0.005~5질량%, 아미노폴리메틸렌포스폰산을 0.000005~0.005질량% 및 물을 포함한 세정액.
연구과제 타임라인
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이 특허에 인용된 특허 (3)
[한국]
산화제 및 유기 용매를 포함하는 마이크로일렉트로닉 세정 조성물 |
슈,첸-핀,셔먼
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