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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-1993-0003353 (1993-03-05) |
공개번호 | 10-1994-0022727 (1994-10-21) |
공고번호 | 10-0114270-0000 (1996-12-21) |
등록번호 | 10-0114270-0000 (1997-04-16) |
DOI | http://doi.org/10.8080/1019930003353 |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (1993-03-05) |
심사진행상태 | 등록결정(일반) |
법적상태 | 소멸 |
본 발명은 반도체 제조 공정중 세정 방법에 관한 것으로 종래에는 NH4OH 용액 : H2O2 용액 : H2O를 1 : 1 : 5 또는 1 : 2 : 10비율로 크리닝 탱크에 주입하여 실제온도로 가열하여 세정하였다.따라서 세정용액의 불순물 함유 미립자 함유, 조성비 변화로 인한 크리닝 효율이 저하되었다.본 발명은 NH2 가스, O3 가스 및 탈이온수를 크리닝 탱크에 주입하여 NH3가스가 H2O와 반응하여 NH4OH를 형성하고 O3 가스가 O2+O 또는 O3+H2O+H2O2+O2로 반응하여 종래와 같은 세정액을 형성한다.따라서, 미립자
크리닝 탱크에 탈이온수를 주입함과 동시에 염기성 가스와 산화제 가스를 각각 주입하여 형성된 세정액을 이용하여 세정대상물을 세정함을 특징으로 하는 반도체 공정의 세정방법.
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