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| 국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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| 국제특허분류(IPC8판) |
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| 출원번호 | 10-2016-0036281 (2016-03-25) | |
| 공개번호 | 10-2016-0041865 (2016-04-18) | |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020160036281 | |
| 발명자 / 주소 |
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| 출원인 / 주소 |
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| 대리인 / 주소 |
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| 심사진행상태 | 취하(심사미청구) | |
| 법적상태 | 취하 |
전력 디바이스 등의 방열 구조에 사용하기 적합한 고열전도율을 갖는 반응소결질화규소소결체의 제조 방법이 제공된다. 본 발명은 Si 분말을 포함하는 원료 분말을 1 미크론 이하의 크기로 밀링하는 단계; 상기 밀링된 Si 분말 및 소결 조제를 혼합 및 성형하는 단계; 상기 성형체를 1350~1450oC에서 질화 처리하여 상기 성형체 내에 반응결합 질화규소를 형성하는 단계; 및 상기 반응결합 질화규소를 1850oC 이상의 온도에서 후소결하여반응소결질화규소소결체를 제조하는 단계를 포함하는 반응소결질화규소소결체의 제조 방법을 제공한다. 본 발
Si 분말을 포함하는 원료 분말을 1 미크론 이하의 크기로 밀링하는 단계;상기 밀링된 Si 분말 및 소결 조제를 혼합 및 성형하는 단계;상기 성형체를 1350~1450oC에서 질화 처리하여 상기 성형체 내에 반응결합 질화규소를 형성하는 단계; 및상기 반응결합 질화규소를 1850oC 이상의 온도에서 후소결하여반응소결질화규소소결체를 제조하는 단계를 포함하는 반응소결질화규소소결체의 제조 방법.
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