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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2016-0044203 (2016-04-11) | |
등록번호 | 10-1724359-0000 (2017-04-03) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020160044203 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2016-04-11) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명은 최적의 냉각 가스 주입 위치와 유량조건에서 입자의 크기를 선택적으로 제조하는 실리콘 나노 분말의 제조방법 및 실리콘 나노 분말을 제조하기 위한 RF 열플라즈마 장치를 제공하는 것이다. 실리콘 나노 분말의 제조 방법은, RF 열플라즈마 장치에 RF 열플라즈마 발생 가스를 공급하여 RF 열플라즈마를 발생시키는 단계(단계 1); 상기 단계 1의 RF 열플라즈마 발생 가스의 공급 방향에 대하여 반대방향으로 냉각 장치를 통해 냉각 가스를 주입하는 단계(단계 2); 및 상기 단계 1에서 발생된 RF 열플라즈마에 실리콘 원료 분말을
RF 열플라즈마 장치에 RF 열플라즈마 발생 가스를 공급하여 RF 열플라즈마를 발생시키는 단계(단계 1);상기 단계 1의 RF 열플라즈마 발생 가스의 공급 방향에 대하여 반대방향으로 냉각 장치를 통해 냉각 가스를 주입하는 단계(단계 2); 및상기 단계 1에서 발생된 RF 열플라즈마에 실리콘 원료 분말을 공급하여 기화 및 냉각시키는 단계(단계 3);를 포함하고,상기 단계 2의 냉각 가스의 유량은 65 내지 75 L/min이고, 상기 단계 2의 냉각 장치의 노즐과 토치 출구와의 간격이 300 내지 400 mm 인 것을 특징으로 하는 실
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