본 발명에 따른 전해 구리 도금 방법은, 패턴이 형성된 기판 상에 전해 도금 방식으로 구리막을 형성하기 위한 전해 구리 도금 방법으로서, 상기 패턴 상에 형성되는 상기 구리막의 균일도 및 평탄도를 높이기 위해 적어도 2종의 평탄제를 포함하는 전해 구리 도금액을 사용한다. 또한 상기 2종의 평탄제는 구리막의 표면을 볼록하게 만드는 제 1 평탄제 및 상기 구리막의 표면을 오목하게 만드는 제 2 평탄제를 포함한다.
대표청구항▼
패턴이 형성된 기판 상에 전해 도금 방식으로 구리막을 형성하기 위하여 전해질 수용액과, 억제제와, 가속제 및 적어도 2종의 평탄제를 조성으로 하는 도금액을 이용하는 구리 전해 도금 방법에 있어서,상기 2종의 평탄제는 상기 구리막의 표면을 볼록하게 만드는 아래의 화학식 1의 구조를 갖는 제 1 평탄제; 및상기 구리막의 표면을 오목하게 만드는 아래의 화학식 2의 구조를 갖는 제 2 평탄제를 포함하는 것을 특징으로 하는, 전해 구리 도금 방법.(화학식 1)(A는 에테르 작용기, 에스테르 작용기 및 카르보닐 작용기 중 하나 이상을 포함하고
패턴이 형성된 기판 상에 전해 도금 방식으로 구리막을 형성하기 위하여 전해질 수용액과, 억제제와, 가속제 및 적어도 2종의 평탄제를 조성으로 하는 도금액을 이용하는 구리 전해 도금 방법에 있어서,상기 2종의 평탄제는 상기 구리막의 표면을 볼록하게 만드는 아래의 화학식 1의 구조를 갖는 제 1 평탄제; 및상기 구리막의 표면을 오목하게 만드는 아래의 화학식 2의 구조를 갖는 제 2 평탄제를 포함하는 것을 특징으로 하는, 전해 구리 도금 방법.(화학식 1)(A는 에테르 작용기, 에스테르 작용기 및 카르보닐 작용기 중 하나 이상을 포함하고,R1 과 R2는 단독으로 수소를 포함하거나, 에테르 작용기를 포함하는 1개 내지 10개 사이의 탄소를 갖는 선형 구조의 알킬이거나, 또는 에테르 작용기를 포함하는 5개 내지 20개 사이의 탄소를 갖는 가지형 구조의 알킬이고,R3과 R4는 단독으로 수소를 포함하거나, 1개 내지 10개 사이의 탄소를 갖는 선형 구조의 알킬이거나, 또는 5개 내지 20개 사이의 탄소를 갖는 가지형 구조의 알킬이고,m과 n의 합은 1내지 50까지의 정수이고,o는 1내지 100까지의 정수이고,X는 염소(Cl), 브롬(Br), 요오드(I), 질산염(NO3), 황산염(SO4), 탄산염(CO3) 및 수산기(OH)로 이루어진 이온 군에서 선택된 하나 또는 그 이상을 포함함)(화학식 2)(R5는 질소, 산소, 황, 인 중 하나 또는 두 개의 원소를 포함하는 포화 헤테로 고리 화합물로 아지리딘, 옥시란, 티이란, 디아지리딘, 옥사지리딘, 디옥시란, 아제티딘, 옥세탄, 티에탄, 디아제티딘, 디옥세탄, 디티에탄, 피롤리딘, 티올란, 포스포란, 이미다졸리딘, 피라졸리딘, 옥사졸리딘, 이소옥사졸리딘, 티아졸리딘, 이소티아졸리딘, 디옥솔란, 디티올란, 피페리딘, 옥산, 티안, 포스피난, 피페라진, 모르폴린, 티오모르폴린, 디옥산, 디티안, 아제판, 옥세판, 티에판, 호모피레라진, 아조칸, 옥소칸, 티오칸, 아조난, 옥소난, 티오난으로 이루어진 물질 군 중 하나 이상을 포함하고,R6는 질소, 산소, 황, 인 중 하나 또는 두 개의 원소를 포함하는 불포화 헤테로 고리 화합물로 아지린, 옥시린, 티이린, 디아지린, 아제트, 옥세트, 티에트, 디옥트, 다이티에트, 피롤, 퓨란, 티오펜, 포스폴, 이미다졸, 피라졸, 옥소졸, 이소옥사졸, 티아졸, 이소티아졸, 피리딘, 피란, 티오피란, 포스피닌, 디아진, 옥사진, 티아진, 디옥신, 다이티인, 아제핀, 옥세핀, 티에핀, 디아제핀, 티아제핀, 아조신, 옥소신, 티오신, 아조닌, 옥소닌 및 티오닌으로 이루어진 물질 군 중 하나 이상을 포함하고,p와 q의 합은 200 내지 1000까지의 정수이고,X는 염소(Cl), 브롬(Br), 요오드(I), 질산염(NO3), 황산염(SO4), 탄산염(CO3) 및 수산기(OH)로 이루어진 이온 군 중 하나 이상을 포함함)
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.