초록 ▼

본 발명은 식각용 조성물의 성능 평가 방법에 관한 것으로서, 상기 식각용 조성물의 성능 평가 방법은 인산 수용액을 포함하는 식각용 조성물을 준비하는 단계, 상기 식각용 조성물을 실리콘 질화막 또는 실리콘 산화막이 들어 있는 평가 용기에 투입하는 단계, 상기 식각용 조성물의 온도를 100 내지 170 ℃의 고온으로 유지하면서 상기 식각용 조성물의 식각 성능을 측정하는 단계를 포함한다.상기 식각용 조성물의 성능 평가 방법은 실리콘 질화막 및 실리콘 산화막의 식각을 위한 고온 인산 공정에 사용되는 식각용 조성물의 식각 성능 평가시 실제

본 발명은 식각용 조성물의 성능 평가 방법에 관한 것으로서, 상기 식각용 조성물의 성능 평가 방법은 인산 수용액을 포함하는 식각용 조성물을 준비하는 단계, 상기 식각용 조성물을 실리콘 질화막 또는 실리콘 산화막이 들어 있는 평가 용기에 투입하는 단계, 상기 식각용 조성물의 온도를 100 내지 170 ℃의 고온으로 유지하면서 상기 식각용 조성물의 식각 성능을 측정하는 단계를 포함한다.상기 식각용 조성물의 성능 평가 방법은 실리콘 질화막 및 실리콘 산화막의 식각을 위한 고온 인산 공정에 사용되는 식각용 조성물의 식각 성능 평가시 실제 고온 인산 공정에 적용된 결과에 보다 근접하고 정확한 평가 결과를 얻을 수 있다.

대표청구항

인산 수용액을 포함하는 식각용 조성물을 준비하는 단계,상기 식각용 조성물을 실리콘 질화막 또는 실리콘 산화막이 들어 있는 평가 용기에 투입하는 단계, 상기 식각용 조성물의 온도를 100 내지 170 ℃의 고온으로 유지하면서 상기 식각용 조성물의 식각 성능을 측정하는 단계를 포함하며,상기 식각 성능을 측정하는 단계는 상기 식각용 조성물에 물을 보충하면서 이루어지는 것인 식각용 조성물의 성능 평가 방법.

인산 수용액을 포함하는 식각용 조성물을 준비하는 단계,상기 식각용 조성물을 실리콘 질화막 또는 실리콘 산화막이 들어 있는 평가 용기에 투입하는 단계, 상기 식각용 조성물의 온도를 100 내지 170 ℃의 고온으로 유지하면서 상기 식각용 조성물의 식각 성능을 측정하는 단계를 포함하며,상기 식각 성능을 측정하는 단계는 상기 식각용 조성물에 물을 보충하면서 이루어지는 것인 식각용 조성물의 성능 평가 방법.