초록 ▼

본 발명은 미세회로기판용 표면처리동박 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 구체적으로 본 발명에 따른 미세회로기판용 동박의 표면처리 방법은, 전해동박을 제공하는 단계; 및 상기 전해동박 상에 노듈을 성장시키기 위하여 조화처리를 하는 단계;를 포함하고, 상기 조화처리 단계에서는 [몰리브덴(Mo) 0.5 ~ 3g/l 와 나트륨 이온(Na) 1 ~ 10g/l] 중 1종, [텅스텐 이온(W) 0.1 ~ 0.5g/l 와 바나듐 이온(V) 0.3 ~ 0.7 g/l] 중 1종, 구리이온(Cu) 10 ~ 20 g/l 및 황산(H2SO4) 100~0

본 발명은 미세회로기판용 표면처리동박 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 구체적으로 본 발명에 따른 미세회로기판용 동박의 표면처리 방법은, 전해동박을 제공하는 단계; 및 상기 전해동박 상에 노듈을 성장시키기 위하여 조화처리를 하는 단계;를 포함하고, 상기 조화처리 단계에서는 [몰리브덴(Mo) 0.5 ~ 3g/l 와 나트륨 이온(Na) 1 ~ 10g/l] 중 1종, [텅스텐 이온(W) 0.1 ~ 0.5g/l 와 바나듐 이온(V) 0.3 ~ 0.7 g/l] 중 1종, 구리이온(Cu) 10 ~ 20 g/l 및 황산(H2SO4) 100~00g/L 을 포함하는 도금욕에서 조화처리를 수행한다.본 발명에 따르면 표면조도 Rz가 2.0 이하이고 에칭성이 좋아 처짐현상이 크지 않은, 즉 수지층 부근의 하부회로의 폭과 상부 회로폭의 차이가 10㎛ 이하인 미세회로기판용 표면처리동박을 제조할 수 있다.

대표청구항

전해동박을 제공하는 단계; 및상기 전해동박 상에 노듈을 성장시키기 위하여 조화처리를 하는 단계;를 포함하고,상기 조화처리 단계에서는 [몰리브덴(Mo) 0.5 ~ 3g/l 와 나트륨 이온(Na) 1 ~ 10g/l] 중 1종, [텅스텐 이온(W) 0.1 ~ 0.5g/l 와 바나듐 이온(V) 0.3 ~ 0.7 g/l] 중 1종, 구리이온(Cu) 10 ~ 20 g/l 및 황산(H2SO4) 100~00g/L 을 포함하는 도금욕에서 조화처리를 수행하는 미세회로기판용 동박의 표면처리 방법.

전해동박을 제공하는 단계; 및상기 전해동박 상에 노듈을 성장시키기 위하여 조화처리를 하는 단계;를 포함하고,상기 조화처리 단계에서는 [몰리브덴(Mo) 0.5 ~ 3g/l 와 나트륨 이온(Na) 1 ~ 10g/l] 중 1종, [텅스텐 이온(W) 0.1 ~ 0.5g/l 와 바나듐 이온(V) 0.3 ~ 0.7 g/l] 중 1종, 구리이온(Cu) 10 ~ 20 g/l 및 황산(H2SO4) 100~00g/L 을 포함하는 도금욕에서 조화처리를 수행하는 미세회로기판용 동박의 표면처리 방법.