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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2016-0089241 (2016-07-14) | |
공개번호 | 10-2018-0007833 (2018-01-24) | |
등록번호 | 10-2480628-0000 (2022-12-20) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020160089241 | |
발명자 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2021-05-20) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
PN 다이오드를 포함하는 반도체 소자 형성 방법을 제공한다. 이 반도체 소자 형성 방법은 하부 도전 층 상에 제1 반도체 층을 형성하는 것을 포함한다. 상기 제1 반도체 층은 언도우프트 실리콘 층으로 형성된다. 제1 도핑 공정을 진행하여 상기 제1 반도체 층 내에 N형 불순물을 포함하는 제1 도핑 영역을 형성한다. 상기 제1 도핑 영역이 형성된 상기 제1 반도체 층 상에 상기 제1 반도체 층 보다 두꺼운 제2 반도체 층을 형성한다. 상기 제2 반도체 층은 언도우프트 실리콘 층으로 형성된다. 제2 도핑 공정을 진행하여 상기 제2 반도
기판 상에 제1 도전성 라인을 형성하고; 상기 제1 도전성 라인 상에 스위칭 소자 및 정보 저장 요소를 포함하는 메모리 셀을 형성하고; 및상기 메모리 셀 상에 제2 도전성 라인을 형성하는 것을 포함하되,상기 스위칭 소자를 형성하는 것은,제1 반도체 층을 형성하고;상기 제1 반도체 층 내에 N형 불순물을 주입하는 제1 도핑 공정을 진행하여 제1 도핑 영역을 형성하고;상기 제1 도핑 영역을 갖는 상기 제1 반도체 층 상에 상기 제1 반도체 층 보다 두꺼운 제2 반도체 층을 형성하고;상기 제2 반도체 층의 상부 영역 내에 P형 불순물을
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