초록 ▼

리플로우 공정 온도 이하의 유리전이온도를 갖는 열가소성 폴리이미드층의 적용으로 리플로우 공정 완료 후 반도체 칩의 탈부착에 대한 용이성을 확보할 수 있는 반도체 패키지 리플로우 공정용 폴리이미드 필름 및 그 제조 방법에 대하여 개시한다.본 발명에 따른 반도체 패키지 리플로우 공정용 폴리이미드 필름은 비열가소성 폴리이미드층; 상기 비열가소성 폴리이미드층 상에 적층되며, 리플로우 공정 온도 이하의 유리전이온도를 갖는 열가소성 폴리이미드층; 및 상기 열가소성 폴리이미드층 상에 부착된 점착층;을 포함하며, 상기 열가소성 폴리이미드층의 표면

리플로우 공정 온도 이하의 유리전이온도를 갖는 열가소성 폴리이미드층의 적용으로 리플로우 공정 완료 후 반도체 칩의 탈부착에 대한 용이성을 확보할 수 있는 반도체 패키지 리플로우 공정용 폴리이미드 필름 및 그 제조 방법에 대하여 개시한다.본 발명에 따른 반도체 패키지 리플로우 공정용 폴리이미드 필름은 비열가소성 폴리이미드층; 상기 비열가소성 폴리이미드층 상에 적층되며, 리플로우 공정 온도 이하의 유리전이온도를 갖는 열가소성 폴리이미드층; 및 상기 열가소성 폴리이미드층 상에 부착된 점착층;을 포함하며, 상기 열가소성 폴리이미드층의 표면은 카르복실기로 개질 처리된 것을 특징으로 한다.

대표청구항 ▼

비열가소성 폴리이미드층; 상기 비열가소성 폴리이미드층 상에 적층되며, 리플로우 공정 온도 이하의 유리전이온도를 갖는 열가소성 폴리이미드층; 및 상기 열가소성 폴리이미드층 상에 부착된 점착층;을 포함하며, 상기 열가소성 폴리이미드층의 표면은 카르복실기로 개질 처리되되, 상기 열가소성 폴리이미드층은 에테르기, 케톤기 및 메틸기 중 어느 하나가 있는 방향족 디아민과 에테르기, 케톤기 및 메틸기 중 어느 하나가 있는 방향족 디안하이드리드(aromatic dianhydride)를 유기 용매에 합성하여 제조된 폴리아믹산이 이용되며, 상기 열가

비열가소성 폴리이미드층; 상기 비열가소성 폴리이미드층 상에 적층되며, 리플로우 공정 온도 이하의 유리전이온도를 갖는 열가소성 폴리이미드층; 및 상기 열가소성 폴리이미드층 상에 부착된 점착층;을 포함하며, 상기 열가소성 폴리이미드층의 표면은 카르복실기로 개질 처리되되, 상기 열가소성 폴리이미드층은 에테르기, 케톤기 및 메틸기 중 어느 하나가 있는 방향족 디아민과 에테르기, 케톤기 및 메틸기 중 어느 하나가 있는 방향족 디안하이드리드(aromatic dianhydride)를 유기 용매에 합성하여 제조된 폴리아믹산이 이용되며, 상기 열가소성 폴리이미드층은 상기 폴리아믹산에 KOH를 첨가하고, 300 ~ 400℃에서 열처리하는 것에 의해 표면이 카르복실기로 개질 처리된 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 리플로우 공정용 폴리이미드 필름.