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| 국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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| 국제특허분류(IPC8판) |
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| 출원번호 | 10-2016-0115595 (2016-09-08) | |
| 공개번호 | 10-2018-0028205 (2018-03-16) | |
| 등록번호 | 10-1924070-0000 (2018-11-26) | |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020160115595 | |
| 발명자 / 주소 | ||
| 출원인 / 주소 |
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| 대리인 / 주소 |
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| 심사청구여부 | 있음 (2016-09-08) | |
| 심사진행상태 | 등록결정(재심사후) | |
| 법적상태 | 등록 |
본 발명은, 란탄족 물질 도핑 기반의 고 전도성 유연 투명전극 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로, 기판; 및 상기 기판 상에 형성되고, 국부적으로 나노결정 닷이 분포된 란탄족 물질을 도핑한 비정질 박막; 을 포함하는, 란탄족 물질 도핑 기반의 고 전도성 유연 투명전극 및 이의 제조방법에 관한 것이다.본 발명은, 플렉서블 또는 웨어러블 소자에 적용 가능한 유연성과 전기적 특성을 갖는, 고 전도성 유연 투명전극을 제공할 수 있다.
기판; 및 상기 기판 상에 형성되고, 국부적으로 나노결정 닷이 분포된 란탄족 물질을 도핑한 비정질 산화물 반도체 박막; 을 포함하고, 상기 란탄족 물질은, Sm, Gd 또는 이 둘을 포함하고,비정질 란탄족 물질 대 상기 나노결정 닷은, 1:0.0001 내지 0.1의 중량비로 포함되고,상기 나노결정 닷은, 1 nm 내지 20 nm의 입경을 갖고, 80 % 이상의 광투과도 및 10 -4 Ω·cm 이하의 전기저항을 갖는 것인, 란탄족 물질 도핑 기반의 고 전도성 유연 투명전극.
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