초록 ▼

본 발명은 기판 위에 마련된 무기 패턴 또는 수지 패턴의 패턴 붕괴를 효과적으로 방지하는 것이 가능한 표면 처리제, 및 그와 같은 표면 처리제를 사용한 표면 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또, 그 밖의 목적으로서, 본 발명은 피처리체의 표면에 대해서, 고도로 실릴화 처리를 실시할 수 있는 표면 처리제, 및 그와 같은 표면 처리제를 사용한 표면 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.피처리체의 표면 처리에 사용되는 표면 처리제로서, 실릴화제와, 규소 원자를 포함하지 않는 함질소 복소환 화합물을 함유하는 표면 처리제를 사

본 발명은 기판 위에 마련된 무기 패턴 또는 수지 패턴의 패턴 붕괴를 효과적으로 방지하는 것이 가능한 표면 처리제, 및 그와 같은 표면 처리제를 사용한 표면 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또, 그 밖의 목적으로서, 본 발명은 피처리체의 표면에 대해서, 고도로 실릴화 처리를 실시할 수 있는 표면 처리제, 및 그와 같은 표면 처리제를 사용한 표면 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.피처리체의 표면 처리에 사용되는 표면 처리제로서, 실릴화제와, 규소 원자를 포함하지 않는 함질소 복소환 화합물을 함유하는 표면 처리제를 사용한다.

대표청구항 ▼

피처리체의 소수화 표면 처리에 사용되는 표면 처리제로서, 실릴화제와, 규소 원자를 포함하지 않는 함질소 복소환 화합물을 포함하는 표면 처리제로서,상기 실릴화제가 하기 일반식(3) 또는 (4)로 나타내는 실릴화제; 또는 2,2,5,5-테트라메틸-2,5-디실라-1-아자시클로펜탄, 2,2,6,6-테트라메틸-2,6-디실라-1-아자시클로헥산, 2,2,4,4,6,6-헥사메틸시클로트리실라잔, 2,4,6-트리메틸-2,4,6-트리비닐시클로트리실라잔 및 2,2,4,4,6,6,8,8-옥타메틸시클로테트라실라잔으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종

피처리체의 소수화 표면 처리에 사용되는 표면 처리제로서, 실릴화제와, 규소 원자를 포함하지 않는 함질소 복소환 화합물을 포함하는 표면 처리제로서,상기 실릴화제가 하기 일반식(3) 또는 (4)로 나타내는 실릴화제; 또는 2,2,5,5-테트라메틸-2,5-디실라-1-아자시클로펜탄, 2,2,6,6-테트라메틸-2,6-디실라-1-아자시클로헥산, 2,2,4,4,6,6-헥사메틸시클로트리실라잔, 2,4,6-트리메틸-2,4,6-트리비닐시클로트리실라잔 및 2,2,4,4,6,6,8,8-옥타메틸시클로테트라실라잔으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 환상 실라잔 화합물;을 포함하고,상기 규소 원자를 포함하지 않는 함질소 복소환 화합물이 방향성을 가지는 함질소 복소환을 포함하고, 함질소 5원환, 또는 함질소 5원환 골격을 포함하는 축합 다환을 포함하는 표면 처리제.(상기 일반식(3) 중, R4, R5 및 R6은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 함질소기 또는 유기기를 나타내고, R4, R5 및 R6에 포함되는 탄소 원자의 합계의 개수는 1개 이상이고, R7은 수소 원자, 또는 포화 혹은 불포화 알킬기를 나타내며, R8은 수소 원자, 포화 혹은 불포화 알킬기, 포화 혹은 불포화 시클로알킬기, 아세틸기, 또는 포화 혹은 불포화 헤테로시클로알킬기를 나타낸다. R7 및 R8은 서로 결합해 질소 원자를 포함하는 환 구조를 형성해도 된다.)(상기 일반식(4) 중, R4, R5 및 R6은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 함질소기 또는 유기기를 나타내고, R4, R5 및 R6에 포함되는 탄소 원자의 합계의 개수는 1개 이상이고, R9는 수소 원자, 메틸기, 트리메틸실릴기, 또는 디메틸실릴기를 나타내며, R10, R11 및 R12는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 유기기를 나타내며, R10, R11 및 R12에 포함되는 탄소 원자의 합계의 개수는 1개 이상이다.)