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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2016-0121234 (2016-09-22) | |
공개번호 | 10-2018-0032703 (2018-04-02) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020160121234 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2016-09-22) | |
심사진행상태 | 거절결정(일반) | |
법적상태 | 거절 |
본 발명은 Si 나노 입자를 이용한 난 SiC 코팅 방법에 관한 것으로, 흑연지그 상부에 흑연기판을 장착하여 진공챔버 내부에 장착하는 단계; 상기 진공챔버 내부에 다공성 구조를 갖는 허니컴 담체에 Si 나노 분말을 담아 장착하는 단계; 상기 진공챔버 내부를 진공으로 형성하고 1200℃~1400℃ 온도로 유지시켜 Si 나노 분말을 증발시키는 단계; 및 상기 증발된 Si 입자가 흑연기판의 C와 발열활성 반응을 통해 SiC 코팅층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
진공챔버 내부에 흑연지그와 흑연기판을 차례로 장착하는 단계; 상기 진공챔버 내부에 다공성 구조를 갖는 허니컴 담체에 Si 나노 분말을 담아 장착하는 단계;상기 진공챔버 내부를 진공으로 형성하고 1200℃~1400℃ 온도로 유지시켜 Si 나노 분말을 증발시키는 단계; 및상기 증발된 Si 입자가 흑연기판의 C와 발열활성 반응을 통해 SiC 박막을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 Si 나노 입자를 이용한 SiC 코팅 방법.
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