초록 ▼

본 발명은 나노다이아몬드(nanodiamond, nD)를 열처리하는 단계를 포함하는 향상된 분산성을 가지는 고순도 나노다이아몬드의 제조방법에 대한 것으로서, 본 발명에 따른 향상된 분산성을 가지는 고순도 나노다이아몬드의 제조방법에 의하면, 대기 분위기 하에서 특정 온도 범위로 열처리하는 간단한 공정을 통해, 액상 내에서 완벽하게 개별 분산되는(individually dispersed) 고결정성의 나노다이아몬드를 얻을 수 있으며, 또한, 상기 열정제된 고결정성의 나노다이아몬드 입자는 별도의 분산제를 사용하지 않고도 초음파 또는 정전기

본 발명은 나노다이아몬드(nanodiamond, nD)를 열처리하는 단계를 포함하는 향상된 분산성을 가지는 고순도 나노다이아몬드의 제조방법에 대한 것으로서, 본 발명에 따른 향상된 분산성을 가지는 고순도 나노다이아몬드의 제조방법에 의하면, 대기 분위기 하에서 특정 온도 범위로 열처리하는 간단한 공정을 통해, 액상 내에서 완벽하게 개별 분산되는(individually dispersed) 고결정성의 나노다이아몬드를 얻을 수 있으며, 또한, 상기 열정제된 고결정성의 나노다이아몬드 입자는 별도의 분산제를 사용하지 않고도 초음파 또는 정전기적 분산법을 통해 액상 내에 응집 없이 쉽게 분산되므로, 기계, 자동차, 열차, 선박, 우주항공 등의 다양한 분야에서 소재부품으로 적용이 가능하며, 특히, 강도와 내마모성이 요구되는 부싱류 등에 바로 부품화 할 수 있으며, 또한, 양자점 효과의 구현이 가능해 다양한 디스플레이 재료 및 양자 컴퓨터의 기본 소재로 적용이 기대되고, 우수한 방열성으로 인해 인공위성 및 전자기기의 방열재료로 유용하게 사용될 수 있다.

대표청구항 ▼

고온고압법(high-pressure high-temperature(HPHT) method)으로 제조된 평균 입자 크기 125 nm의 나노다이아몬드(nanodiamond, nD)를 대기 분위기 하에서 600 ℃의 온도로 300분 동안 열처리하는 단계를 포함하며, 상기 열처리하는 단계에서 나노다이아몬드의 sp2 결합 탄소(sp2-bonded carbon)가 sp3 결합 탄소(sp3-bonded carbon)로 변환되어 나노다이아몬드의 라만 스펙트럼에서 G 밴드(G-band)가 나타나지 않는 것을 특징으로 하는, 향상된 분산성을 가지는

고온고압법(high-pressure high-temperature(HPHT) method)으로 제조된 평균 입자 크기 125 nm의 나노다이아몬드(nanodiamond, nD)를 대기 분위기 하에서 600 ℃의 온도로 300분 동안 열처리하는 단계를 포함하며, 상기 열처리하는 단계에서 나노다이아몬드의 sp2 결합 탄소(sp2-bonded carbon)가 sp3 결합 탄소(sp3-bonded carbon)로 변환되어 나노다이아몬드의 라만 스펙트럼에서 G 밴드(G-band)가 나타나지 않는 것을 특징으로 하는, 향상된 분산성을 가지는 고순도 나노다이아몬드의 제조방법.