초록 ▼

본원은 면들 중 적어도 하나에 코팅으로 코팅된 기재를 포함하는 금속 시트로서, 0.1 ~ 20 중량% 마그네슘, 선택적으로 0.1 ~ 20 중량% 알루미늄, 잔부로서 아연, 상기 처리 방법과 관련된 잠재적인 불순물들, 및 선택적으로 Si, Sb, Pb, Ti, Ca, Mn, Sn, La, Ce, Cr, Ni, Zr 및 Bi 중에서 선택되는 1 종 이상의 첨가 원소들을 포함하고, 각 첨가 원소의 중량 함량은 0.3 % 미만이며, 상기 코팅 자체는, 아연 히드록시클로라이드에 기초하여, 적어도 1 mg/㎡ 의 염소 코팅 중량을 가진 층에

본원은 면들 중 적어도 하나에 코팅으로 코팅된 기재를 포함하는 금속 시트로서, 0.1 ~ 20 중량% 마그네슘, 선택적으로 0.1 ~ 20 중량% 알루미늄, 잔부로서 아연, 상기 처리 방법과 관련된 잠재적인 불순물들, 및 선택적으로 Si, Sb, Pb, Ti, Ca, Mn, Sn, La, Ce, Cr, Ni, Zr 및 Bi 중에서 선택되는 1 종 이상의 첨가 원소들을 포함하고, 각 첨가 원소의 중량 함량은 0.3 % 미만이며, 상기 코팅 자체는, 아연 히드록시클로라이드에 기초하여, 적어도 1 mg/㎡ 의 염소 코팅 중량을 가진 층에 의해 커버되고, 상기 층은 히드로진사이트 또는 아연과 알루미늄의 혼합된 히드록시카보네이트들 또는 나트륨이나 칼륨의 수용성 화합물들을 포함하지 않는다.본원은 또한 본원에 따른 금속 시트를 획득하기 위한 방법에 관한 것이다.

대표청구항 ▼

이하에 따른 단계들을 포함하는 이동하는 금속 스트립 (3) 을 위한 처리 방법:- 면들 (5) 중 적어도 하나에 코팅 (7) 으로 코팅된 강의 스트립 (3) 이 제공되는 단계로서, 상기 코팅 (7) 은 0.1 ~ 20 중량% 마그네슘, 선택적으로 0.1 ~ 20 중량% 알루미늄, 잔부로서 아연, 상기 처리 방법과 관련된 잠재적인 불순물들, 및 선택적으로 Si, Sb, Pb, Ti, Ca, Mn, Sn, La, Ce, Cr, Ni, Zr 및 Bi 중에서 선택되는 1 종 이상의 첨가 원소들을 포함하고, 각 첨가 원소의 중량 함량은 0.

이하에 따른 단계들을 포함하는 이동하는 금속 스트립 (3) 을 위한 처리 방법:- 면들 (5) 중 적어도 하나에 코팅 (7) 으로 코팅된 강의 스트립 (3) 이 제공되는 단계로서, 상기 코팅 (7) 은 0.1 ~ 20 중량% 마그네슘, 선택적으로 0.1 ~ 20 중량% 알루미늄, 잔부로서 아연, 상기 처리 방법과 관련된 잠재적인 불순물들, 및 선택적으로 Si, Sb, Pb, Ti, Ca, Mn, Sn, La, Ce, Cr, Ni, Zr 및 Bi 중에서 선택되는 1 종 이상의 첨가 원소들을 포함하고, 각 첨가 원소의 중량 함량은 0.3 % 미만인, 상기 강의 스트립 (3) 이 제공되는 단계,- 적어도 0.01 mol/L 염화 아연을 포함하고 그리고 염화 나트륨 및 염화 칼륨을 포함하지 않는 처리 수용액이 간단한 접촉에 의해 상기 코팅 (7) 에 도포되는 단계로서, 온도, 상기 코팅 (7) 과의 접촉 시간, 및 염화물 이온들 Cl- 의 농도는, 아연 히드록시클로라이드 (hydroxychloride) 에 기초로 하여, 상기 코팅 (7) 상에 적어도 1 mg/㎡ 의 염소 코팅 중량을 가진 층 (13) 을 형성하도록 되어 있고, 상기 층 (13) 은 히드로진사이트 (hydrozincite) 및 아연과 알루미늄의 혼합된 히드록시카보네이트들을 포함하지 않는, 상기 코팅 (7) 에 도포되는 단계.