초록 ▼

본 발명은 그래핀 (graphene), 100nm 미만의 두께를 갖는 흑연 (graphite nanoplatelet) 나노판 구조물, 및 그래팬 (graphane) 중 하나 이상의 전기화학 전지 제조 방법으로서, 상기 전지는 (a) 흑연질인 음극; (b) 흑연질 또는 다른 물질일 수 있는 양극; 및 (c) 전해질로서, 이온성 액체 (i); 강 공융 용매 (deep eutectic solvent) (ii); 및 고형의 이온성 도전재 (conductor) (iii) 중에서 선택되고, 선택적으로 하나 이상의 이온종들 (iv)을 추가로 포

본 발명은 그래핀 (graphene), 100nm 미만의 두께를 갖는 흑연 (graphite nanoplatelet) 나노판 구조물, 및 그래팬 (graphane) 중 하나 이상의 전기화학 전지 제조 방법으로서, 상기 전지는 (a) 흑연질인 음극; (b) 흑연질 또는 다른 물질일 수 있는 양극; 및 (c) 전해질로서, 이온성 액체 (i); 강 공융 용매 (deep eutectic solvent) (ii); 및 고형의 이온성 도전재 (conductor) (iii) 중에서 선택되고, 선택적으로 하나 이상의 이온종들 (iv)을 추가로 포함하며, 상기 (i), (ii), (iii) 및 (iv)의 양이 상기 전해질의 총중량 기준으로 50중량%를 초과하는, 전해질을 포함하며; 상기 전해질이 상이한 양이온들의 혼합물을 포함하고; 상기 방법이, 상기 전지에 전류를 통하게하여 이온들을 흑연질 음극에 삽입 (intercalate)함으로써 상기 흑연질 음극을 박리 (exfoliate)시키는 단계를 포함하는, 제조 방법을 제공한다.

대표청구항 ▼

그래핀(graphene), 100 nm 미만의 두께를 갖는 흑연(graphite) 나노판(nanoplatelet) 구조물, 그래팬(graphane) 중 하나 이상의 전기화학 전지 제조 방법으로서,상기 전지가(a) 흑연질인 음극(negative electrode);(b) 흑연질 또는 다른 물질일 수 있는 양극(positive electrode); 및(c) 전해질로서, 이온성 액체 (i); 강 공융 용매(deep eutectic solvent) (ii); 및 고형의 이온성 도전재(conductor) (iii) 중에서 선택되고, 선택적으

그래핀(graphene), 100 nm 미만의 두께를 갖는 흑연(graphite) 나노판(nanoplatelet) 구조물, 그래팬(graphane) 중 하나 이상의 전기화학 전지 제조 방법으로서,상기 전지가(a) 흑연질인 음극(negative electrode);(b) 흑연질 또는 다른 물질일 수 있는 양극(positive electrode); 및(c) 전해질로서, 이온성 액체 (i); 강 공융 용매(deep eutectic solvent) (ii); 및 고형의 이온성 도전재(conductor) (iii) 중에서 선택되고, 선택적으로 하나 이상의 이온종들 (iv)을 추가로 포함하며, 상기 (i), (ii), (iii) 및 (iv)의 양이 상기 전해질의 총중량 기준으로 50중량%를 초과하는, 전해질을 포함하며;상기 전해질이 상이한 양이온들의 혼합물을 포함하고;상기 방법이, 상기 전지에 전류를 통하게 하여 이온들을 흑연질 음극에 삽입(intercalate)함으로써 상기 흑연질 음극을 박리(exfoliate)시키는 단계를 포함하는, 제조 방법.