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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2016-7009242 (2016-04-07) | |
공개번호 | 10-2016-0055204 (2016-05-17) | |
등록번호 | 10-1826453-0000 (2018-01-31) | |
우선권정보 | 중국(CN) 201310416745.1 (2013-09-12) | |
국제출원번호 | PCT/CN2013/088597 (2013-12-05) | |
국제공개번호 | WO 2015/035712 (2015-03-19) | |
번역문제출일자 | 2016-04-07 | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020167009242 | |
발명자 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2016-04-07) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
화학식 (I)로 표시되는 리튬이 풍부한 망간계 양극 재료. 이 리튬이 풍부한 망간계 양극 재료의 X선 회절 패턴에서, 44.6°부근의 브래그 각(Bragg angle)의 회절 피크 강도에 대한 18.7°부근의 브래그 각의 회절 피크 강도의 비는 1.10 내지 1.24이다. 이러한 리튬이 풍부한 망간계 양극 재료를 제조하는 방법은 리튬이 풍부한 망간계 화합물을 리튬 제거제(remover)와 혼합하는 단계; 및 이 리튬 제거제의 효과하에, 리튬이 풍부한 망간계 화합물 중의 Li2MnO3으로부터 Li2O의 부분을 제거하여, 리튬이 풍부한
화학식 (I)로 표시되는 리튬이 풍부한 망간계 양극 재료로써, 상기 리튬이 풍부한 망간계 양극 재료의 X선 회절 패턴에서, 44.6°부근의 브래그 각(Bragg angle)의 회절피크강도에 대한 18.7°부근의 브래그 각의 회절피크강도의 비는 1.10 내지 1.24인, 리튬이 풍부한 망간계 양극 재료이고, 상기 리튬이 풍부한 망간계 양극 재료는,화학식 (II)로 표시되는 리튬이 풍부한 망간계 화합물을 리튬 제거제와 혼합하는 단계; 및리튬 제거 반응을 수행하여 이 반응 후 상기 화학식 (I)로 표시되는 리튬이 풍부한 망간계 양극 재료
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