초록

확산제어막이 배치되어 설정된 영역에서만 계면의 트랩전하가 패시베이션될 수 있는 반도체 열처리방법이 개시된다.본 명세서에서는 종래의 열처리공정을 통하여 반도체 소자의 모든 영역에서 동일한 조건에서 수소 또는 중수소 열처리가 수행되는 문제점을 해결하기 위하여 수소 또는 중수소가 투과되지 못하는 확산제어막을 배치하여 반도체 소자의 각각의 영역에서 차등적인 수소 또는 중수소 열처리가 수행되도록 하여 반도체 소자에 최적화된 열처리가 수행될 수 있도록 한다.

대표청구항

반도체를 수소 또는 중수소 분위기에서 열처리 하는 반도체 열처리방법에 있어서,상기 반도체의 설정된 영역에서 수소 또는 중수소가 투과를 조절하기 위해 복수의 확산제어막이 구비되되,복수의 상기 확산제어막 중 어느 하나의 확산제어막은 수소 또는 중수소가 투과하지 못하는 두께이며, 다른 하나의 확산제어막은 수소 또는 중수소가 일부 투과하는 두께로 형성되어,각각 설정된 영역에 배치되는 것을 특징으로 포함하는 반도체 열처리방법.

반도체를 수소 또는 중수소 분위기에서 열처리 하는 반도체 열처리방법에 있어서,상기 반도체의 설정된 영역에서 수소 또는 중수소가 투과를 조절하기 위해 복수의 확산제어막이 구비되되,복수의 상기 확산제어막 중 어느 하나의 확산제어막은 수소 또는 중수소가 투과하지 못하는 두께이며, 다른 하나의 확산제어막은 수소 또는 중수소가 일부 투과하는 두께로 형성되어,각각 설정된 영역에 배치되는 것을 특징으로 포함하는 반도체 열처리방법.