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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2017-0016392 (2017-02-06) | |
공개번호 | 10-2017-0093750 (2017-08-16) | |
등록번호 | 10-1968942-0000 (2019-04-09) | |
우선권정보 | 대한민국(KR) 1020160015109 (2016-02-05) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020170016392 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2017-02-06) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 소멸 |
그래핀 반도체 설계방법에 관한 것으로, 공진기로 각 주파수 ω와 플라즈몬 매질의 실효 유전율 εeff를 가변시켜 그래핀 소재의 반도체를 설계하고, 플라즈몬 매질의 급전 방향을 바꾸어 메타 물질을 형성해서 표면 플라즈몬 공명 현상을 발생시켜 그래핀 반도체를 집적화할 수 있다.
유전체 기판 전면에 배치되는 방사체 및 상기 방사체 상단과 하단에 각각 연결되는 급전선을 포함하는 공진기로 각 주파수 ω와 플라즈몬 매질의 실효 유전율 εeff를 가변시켜 그래핀 소재의 반도체를 설계하고, 플라즈몬 매질의 급전 방향을 바꾸어 메타 물질을 형성해서 표면 플라즈몬 공명 현상을 발생시켜 그래핀 반도체를 집적화하는 것을 특징으로 하는 그래핀 반도체 설계방법.
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