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연합인증

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그래핀 반도체 접합 소자 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01L-029/16
  • H01L-029/06
  • H01L-029/10
  • H01L-029/78
출원번호 10-2019-0157819 (2019-11-29)
공개번호 10-2021-0067818 (2021-06-08)
DOI http://doi.org/10.8080/1020190157819
발명자 / 주소
  • 김소영 / 광주광역시 북구 첨단과기로 *** (오룡동) 광주과학기술원 신소재공학부
  • 김기영 / 광주광역시 북구 첨단과기로 *** (오룡동) 광주과학기술원 신소재공학부
  • 이병훈 / 광주광역시 북구 첨단과기로 *** (오룡동) 광주과학기술원 신소재공학부
출원인 / 주소
  • 광주과학기술원 / 광주광역시 북구 첨단과기로 *** (오룡동)
대리인 / 주소
  • 한상수
법적상태 공개

초록

본 발명은 그래핀 엣지부와 반도체가 접촉되지 않는 구조를 가지는 그래핀 반도체 접합 소자에 관한 것으로서, 기판; 상기 기판 상에 위치하는 게이트 전극; 상기 기판 상에 위치하되, 상기 게이트 전극을 덮도록 위치하는 게이트 절연층; 상기 게이트 절연층 상에 위치하는 그래핀층; 상기 그래핀층 상에 위치하되, 상기 그래핀층의 엣지부에 접합하지 않도록 위치하는 반도체층; 상기 반도체층 상에 위치하는 드레인 전극; 및 상기 그래핀층 상에 위치하되, 상기 반도체층과 이격하여 위치하는 소스 전극을 포함하는 그래핀 반도체 접합 소자를 제공한다.

대표청구항

기판;상기 기판 상에 위치하는 게이트 전극;상기 기판 상에 위치하되, 상기 게이트 전극을 덮도록 위치하는 게이트 절연층;상기 게이트 절연층 상에 위치하는 그래핀층;상기 그래핀층 상에 위치하되, 상기 그래핀층의 엣지부에 접합하지 않도록 위치하는 반도체층;상기 반도체층 상에 위치하는 드레인 전극; 및상기 그래핀층 상에 위치하되, 상기 반도체층과 이격하여 위치하는 소스 전극을 포함하는 그래핀 반도체 접합 소자.

이 특허에 인용된 특허 (2)

  1. [한국] 튜너블 배리어를 구비한 그래핀 트랜지스터 | 박진홍, 심재우, 박형열, 이재호
  2. [한국] 수직형 유기 PN 접합 포토다이오드 및 이의 제조 방법 | 조정호, 강문성, 최영진
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