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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2017-0024938 (2017-02-24) | |
공개번호 | 10-2017-0023920 (2017-03-06) | |
등록번호 | 10-1809252-0000 (2017-12-08) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020170024938 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2017-02-24) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
본 발명에 따른 반도체 적층 구조는 질화물 반도체와 이종인 단결정 기판, 기판과의 사이에 빈 공간(cavity)이 정의되도록 기판 상에 형성되고 기판과 같은 결정 구조로 적어도 일부 결정화된 무기물 박막, 및 빈 공간 위의 결정화된 무기물 박막 상에서부터 성장된 질화물 반도체층을 포함한다. 본 발명에 따른 질화물 반도체층 분리방법 및 장치는 기판과 질화물 반도체층 사이를 기계적으로 분리시킨다. 기계적인 분리는 기판과 질화물 반도체층에 수직 방향 힘을 주어 분리하는 방법, 수평 방향의 힘을 주어 분리하는 방법, 상대적인 원운동의 힘을
질화물 반도체와 이종인 단결정 기판; 기판과 접촉하는 다리부 및 상기 다리부로부터 연장된 상면부를 포함함으로써 상기 기판과의 사이에 빈 공간(cavity)이 정의되도록 상기 기판 상에 형성되고, 상기 빈 공간 위의 부분이 되는 상기 상면부가 상기 기판과 같은 결정 구조로 결정화된 무기물 박막; 및상기 빈 공간 위의 상기 결정화된 무기물 박막 상에서부터 성장되고, 합체되어 있거나 합체되어 있지 않으며, 수평 방향으로 연속적이거나 불연속적이고, 상기 빈 공간 사이의 영역에 보이드(void)를 형성하는 질화물 반도체층을 포함하여,상기 기
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