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NTIS 바로가기주관연구기관 | 서울대학교 산학협력단 |
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연구책임자 | 윤의준 |
보고서유형 | 최종보고서 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2010-05 |
과제시작연도 | 2009 |
주관부처 | 중소기업청 |
사업 관리 기관 | 한국산업기술평가관리원 (중기청) |
등록번호 | TRKO201100013997 |
과제고유번호 | 1425058147 |
사업명 | 산학연공동기술개발 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
1. 최종목표
본 과제의 개발목표는 화합물반도체 생산설비인 multiple wafer MOCVD에서 화합물반도체 기판 성장 (LED epitaxy 기판성장) 시 각각의 기판 표면의 실제온도 (real surface temperature)를 1 o C 이하의 정확도를 가지고 실시간으로 측정하는 장비를 제작하는 것이다.
1) wafer selective real surface temperature의 실시간 측정.
2) 실시간 기판 온도 측정기의 온도측정 범위는 MOCVD에서 GaN 기반의 LED epitaxy wafer
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