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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2017-0058996 (2017-05-12) | |
공개번호 | 10-2018-0124459 (2018-11-21) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020170058996 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2018-04-05) | |
심사진행상태 | 거절결정(일반) | |
법적상태 | 거절 |
본 발명은, 반도체와 금속 사이에 형성되는 오믹접촉 및 오믹접촉 형성방법에 있어서, 탄화규소 기판 상부에 니켈층을 적층하는 단계와; 상기 니켈층의 상부에 티타늄층을 적층하는 단계와; 열처리를 통해 니켈/티타늄 오믹접촉을 형성하는 단계를 포함하는 것을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 본 발명의 오믹접촉은 탄화규소와 우수한 반응성을 통해 니켈실리사이드의 형성이 용이하며, 카본 클러스터의 형성이 방지되어 균일한 계면을 가지는 효과를 얻을 수 있다.
반도체와 금속 사이에 형성되는 오믹접촉 형성방법에 있어서,탄화규소 기판 상부에 니켈층을 적층하는 단계와;상기 니켈층의 상부에 티타늄층을 적층하는 단계와;열처리를 통해 니켈/티타늄 오믹접촉을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체와 금속 사이에 형성되는 오믹접촉 형성방법.
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