초록

반도체 층에 대한 오믹 접촉부를 형성하기 위한 해법이 제공된다. 마스킹 재료가 반도체 층의 표면 상의 접촉 영역들의 세트에 도포된다. 그 다음, 디바이스 이종구조의 하나 이상의 층들이 반도체 층의 비-마스킹 영역(들) 상에 형성된다. 오믹 접촉부는 디바이스 이종구조의 하나 이상의 층들이 형성된 다음에 형성될 수 있다. 오믹 접촉부 형성은 디바이스 이종구조 내에 임의의 반도체 층을 형성하는 재료의 품질이 손상되는 온도 범위보다 낮은 프로세싱 온도에서 수행될 수 있다.

대표청구항 ▼

반도체 디바이스로서,디바이스 이종구조를 포함하고, 상기 디바이스 이종구조는,상기 디바이스 이종구조의 반도체 층들의 세트 내의 반도체 층의 표면의 일 부분 상에 위치된 돌출된 반도체 영역; 및상기 반도체 층에 대한 오믹 접촉부를 포함하며,상기 오믹 접촉부는 상기 반도체 층의 상기 표면 상의 접촉 영역들의 세트 상에 상기 돌출된 반도체 영역에 인접하여 위치된 전도성의 반도체 층들의 세트를 포함하고, 상기 전도성의 반도체 층들의 세트는 상기 접촉 영역들의 세트로부터의 거리에 대하여 상기 전도성의 반도체 층들의 세트를 형성하는 재료의 적어

반도체 디바이스로서,디바이스 이종구조를 포함하고, 상기 디바이스 이종구조는,상기 디바이스 이종구조의 반도체 층들의 세트 내의 반도체 층의 표면의 일 부분 상에 위치된 돌출된 반도체 영역; 및상기 반도체 층에 대한 오믹 접촉부를 포함하며,상기 오믹 접촉부는 상기 반도체 층의 상기 표면 상의 접촉 영역들의 세트 상에 상기 돌출된 반도체 영역에 인접하여 위치된 전도성의 반도체 층들의 세트를 포함하고, 상기 전도성의 반도체 층들의 세트는 상기 접촉 영역들의 세트로부터의 거리에 대하여 상기 전도성의 반도체 층들의 세트를 형성하는 재료의 적어도 하나의 원소의 단계화된 몰 분율을 가지며, 상기 전도성의 반도체 층들의 세트는 상기 반도체 층과 상기 전도성의 반도체 층들의 세트의 계면에서 상기 반도체 층과 격자 정합되는, 반도체 디바이스.