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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2017-0064882 (2017-05-25) | |
공개번호 | 10-2018-0058610 (2018-06-01) | |
등록번호 | 10-2424391-0000 (2022-07-15) | |
우선권정보 | 대한민국(KR) 1020160157440 (2016-11-24) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020170064882 | |
발명자 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2020-05-06) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
식각 조성물은 무기산과, 실록산 화합물과, 암모늄계 화합물과, 용매를 포함하고, 상기 실록산 화합물은 다음 일반식 (I)로 표시된다. 일반식 (I)집적회로 소자를 제조하기 위하여, 기판 상에 산화막 및 질화막이 노출된 표면을 가지는 구조물을 형성하고, 일반식 (I)의 식각 조성물을 구조물에 접촉시켜 상기 산화막 및 상기 질화막 중 상기 질화막을 선택적으로 제거한다.
무기산과, 실록산 화합물과, 암모늄계 화합물과, 용매를 포함하고, 상기 실록산 화합물은 다음 일반식 (I)로 표시되는 것을 특징으로 하는 식각 조성물. 일반식 (I)일반식 (I)에서, m은 0 내지 5의 정수이고, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, 및 R8은 각각 독립적으로 수소 원자, C1-C20의 알킬기, C2-C20의 알케닐기, C2-C20의 알키닐기, C1-C20의 히드록시알킬기, 포스페이트기, 설페이트기, 니트릴기, 카르복실기, 또는 다음 일반식 (II)로 표시되는 치환기이고, 일반식 (II)일반식 (II)
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