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식각 조성물 및 이를 이용한 집적회로 소자의 제조 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • C09K-013/06
  • C09K-013/08
  • H01L-021/02
  • H01L-021/768
  • H01L-029/51
출원번호 10-2017-0064882 (2017-05-25)
공개번호 10-2018-0058610 (2018-06-01)
등록번호 10-2424391-0000 (2022-07-15)
우선권정보 대한민국(KR) 1020160157440 (2016-11-24)
DOI http://doi.org/10.8080/1020170064882
발명자 / 주소
  • 이진우 / 경기도 화성시 동탄지성로 **, ***동 ***호 (반송동, 동탄시범한빛마을 동탄아이파크)
  • 김건영 / 경기도 성남시 분당구 장안로**번길 *, C동 ****호 (분당동, 분당풍림아이원)
  • 한훈 / 경기도 안양시 동안구 귀인로 ***, ***동 ****호 (평촌동, 초원대림아파트)
  • 박재완 / 대구광역시 중구 달구벌대로 ****, ***동 ****호 (대신동, 대신센트럴자이)
  • 이진욱 / 세종특별자치시 마음로 **, ***동 ***호 (고운동, 가락마을*단지)
  • 임정훈 / 대전광역시 대덕구 송촌로**번길 **, ***호 (송촌동)
출원인 / 주소
  • 삼성전자주식회사 / 경기도 수원시 영통구 삼성로 *** (매탄동)
  • 솔브레인 주식회사 / 경기도 성남시 분당구 판교로***번길 ** (삼평동,솔브레인)
대리인 / 주소
  • 리앤목특허법인
심사청구여부 있음 (2020-05-06)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 등록

초록

식각 조성물은 무기산과, 실록산 화합물과, 암모늄계 화합물과, 용매를 포함하고, 상기 실록산 화합물은 다음 일반식 (I)로 표시된다. 일반식 (I)집적회로 소자를 제조하기 위하여, 기판 상에 산화막 및 질화막이 노출된 표면을 가지는 구조물을 형성하고, 일반식 (I)의 식각 조성물을 구조물에 접촉시켜 상기 산화막 및 상기 질화막 중 상기 질화막을 선택적으로 제거한다.

대표청구항

무기산과, 실록산 화합물과, 암모늄계 화합물과, 용매를 포함하고, 상기 실록산 화합물은 다음 일반식 (I)로 표시되는 것을 특징으로 하는 식각 조성물. 일반식 (I)일반식 (I)에서, m은 0 내지 5의 정수이고, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, 및 R8은 각각 독립적으로 수소 원자, C1-C20의 알킬기, C2-C20의 알케닐기, C2-C20의 알키닐기, C1-C20의 히드록시알킬기, 포스페이트기, 설페이트기, 니트릴기, 카르복실기, 또는 다음 일반식 (II)로 표시되는 치환기이고, 일반식 (II)일반식 (II)

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (4)

  1. [한국] 식각용 조성물 및 이를 이용하는 반도체 기억 소자의 형성 방법 | 홍영택, 임정훈, 이진욱, 정찬진, 한훈, 박재완, 박성환, 이양화, 윤병문, 엄대홍, 배상원, 정지훈, 김경현, 김경환, 문창섭, 차세호, 고용선
  2. [한국] 식각 조성물, 식각 방법 및 반도체 소자 | 임정훈, 이진욱, 박재완, 정찬근
  3. [한국] 식각용 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 | 이진욱, 박재완, 임정훈
  4. [한국] 질화막 식각 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 | 길준잉, 방철원, 김학묵, 장용수, 심금비

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  1. [한국] 질화규소 에칭 조성물 및 방법 | 빌로도 스티븐 엠, 홍 성진, 우 싱천, 양 민치에, 쿠퍼 엠마뉴얼 아이
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