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[한국특허] 승화현상을 억제하는 개선된 브릿지만 결정성장법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판)
  • C30B-011/00
출원번호 10-2017-0071740 (2017-06-08)
공개번호 10-2018-0134185 (2018-12-18)
DOI http://doi.org/10.8080/1020170071740
발명자 / 주소
  • 진형진 / 부산광역시 금정구 금강로***번안길 ** (장전동)
  • 진광수 / 부산광역시 금정구 금강로***번안길 **(장전동)
  • 공현준 / 부산광역시 금정구 부산대학로**번길 * (장전동, 부산대학교)
  • 이인원 / 부산광역시 금정구 부산대학로**번길 *(장전동)
출원인 / 주소
  • 부산대학교 산학협력단 / 부산광역시 금정구 부산대학로**번길 * (장전동, 부산대학교)
대리인 / 주소
  • 김성현
심사진행상태 취하(심사미청구)
법적상태 취하

초록

본 발명은 승화현상을 억제하는 개선된 브릿지만 결정성장법에 관한 것으로, 앰플에 승화성 물질을 주입하여 밀폐하는 제1단계 및 상기 앰플의 내부온도가 상기 승화성 물질의 녹는점 이상의 온도가 되도록 상기 앰플에 열을 가하는 제2단계를 포함하는 것을 기술적 요지로 한다.본 발명의 개선된 브릿지만 결정성장법으로 승화성 물질을 결정 성장시킬 시, 승화성 물질의 승화를 억제하여 원추형 덩어리 형태의 단결정을 성장시킬 수 있는 장점이 있으며, 이에 따라 MoO3와 같은 2차원 승화성 물질의 대면적화 구현이 가능하여 다용도로 활용할 수 있다.

대표청구항

앰플에 승화성 물질을 주입하여 밀폐하는 제1단계; 및상기 앰플의 내부온도가 상기 승화성 물질의 녹는점 이상의 온도가 되도록 상기 앰플에 열을 가하는 제2단계;를 포함하는 승화현상을 억제하는 개선된 브릿지만 결정성장법.

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