초록

실시예는 반도체 웨이퍼 보호용 백그라인딩 테이프에 관한 것으로, 실시예는특정 구조의 방향족 화합물을 함유하고, 상기 방향족 화합물의 함량을 적정 수준으로 조절함으로써 반도체 웨이퍼 그라인딩 시 보다 넓은 범위의 탄성율을 가질 수 있고, 적정 수준으로 탄성율을 유지할 수 있어 그라인딩 시의 충격 흡수가 용이하므로 칩의 손상을 최소화할 수 있다. 또한, 상기 방향족 구조의 화합물을 포함함으로써 내화학성 및 내열성 또한 향상시킬 수 있으므로, 반도체 소자 제조 시 유용하게 사용될 수 있다.

대표청구항 ▼

기재층;상기 기재층의 일면에 형성되는 완충층; 및상기 완충층의 일면에 형성되는 점착층을 포함하고,상기 완충층이 하기 화학식 1로 표시되는 방향족 화합물을 포함하고,상기 완충층의 100℃에서의 손실 탄성율이 500 내지 2,000 Pa 이하인, 반도체 웨이퍼 보호용 백그라인딩 테이프:[화학식 1]상기 식에서,R1 내지 R3은 각각 독립적으로 C1-10 알킬, C6-20 아릴, C3-10 싸이클로알킬 또는 C3-10 싸이클로알케닐이고, 수소, 히드록시, C1-5 알킬, C1-5 알콕시, C6-10 아릴, C6-10아릴옥시, 니트로, 아

기재층;상기 기재층의 일면에 형성되는 완충층; 및상기 완충층의 일면에 형성되는 점착층을 포함하고,상기 완충층이 하기 화학식 1로 표시되는 방향족 화합물을 포함하고,상기 완충층의 100℃에서의 손실 탄성율이 500 내지 2,000 Pa 이하인, 반도체 웨이퍼 보호용 백그라인딩 테이프:[화학식 1]상기 식에서,R1 내지 R3은 각각 독립적으로 C1-10 알킬, C6-20 아릴, C3-10 싸이클로알킬 또는 C3-10 싸이클로알케닐이고, 수소, 히드록시, C1-5 알킬, C1-5 알콕시, C6-10 아릴, C6-10아릴옥시, 니트로, 아민 및 할로겐으로 이루어진 군으로부터 선택된 1개 이상의 치환기를 가질 수 있고;a 내지 c는 각각 독립적으로 수소, 히드록시, C1-5 알킬, C1-5 알콕시, C6-10 아릴, C6-10 아릴옥시, 니트로, 아민 또는 할로겐이고;n1 내지 n3은 각각 독립적으로 0 내지 3의 정수이다.