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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2017-0118355 (2017-09-15) | |
공개번호 | 10-2019-0030841 (2019-03-25) | |
등록번호 | 10-1982200-0000 (2019-05-20) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020170118355 | |
발명자 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2017-09-15) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
실시예는 반도체 웨이퍼 보호용 백그라인딩 테이프에 관한 것으로, 실시예는특정 구조의 방향족 화합물을 함유하고, 상기 방향족 화합물의 함량을 적정 수준으로 조절함으로써 반도체 웨이퍼 그라인딩 시 보다 넓은 범위의 탄성율을 가질 수 있고, 적정 수준으로 탄성율을 유지할 수 있어 그라인딩 시의 충격 흡수가 용이하므로 칩의 손상을 최소화할 수 있다. 또한, 상기 방향족 구조의 화합물을 포함함으로써 내화학성 및 내열성 또한 향상시킬 수 있으므로, 반도체 소자 제조 시 유용하게 사용될 수 있다.
기재층;상기 기재층의 일면에 형성되는 완충층; 및상기 완충층의 일면에 형성되는 점착층을 포함하고,상기 완충층이 하기 화학식 1로 표시되는 방향족 화합물을 포함하고,상기 완충층의 100℃에서의 손실 탄성율이 500 내지 2,000 Pa 이하인, 반도체 웨이퍼 보호용 백그라인딩 테이프:[화학식 1]상기 식에서,R1 내지 R3은 각각 독립적으로 C1-10 알킬, C6-20 아릴, C3-10 싸이클로알킬 또는 C3-10 싸이클로알케닐이고, 수소, 히드록시, C1-5 알킬, C1-5 알콕시, C6-10 아릴, C6-10아릴옥시, 니트로, 아
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