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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2017-0118711 (2017-09-15) | |
공개번호 | 10-2018-0034240 (2018-04-04) | |
우선권정보 | 일본(JP) JP-P-2016-186708 (2016-09-26) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020170118711 | |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2017-09-15) | |
심사진행상태 | 거절결정(일반) | |
법적상태 | 거절 |
(과제) 기판에 대해 에칭 및 세정을 실시하는 경우에 있어서, 에칭액에 용해시킨 물질의 재결정화를 억제한다.(해결 수단) 기판 처리 방법은, 소정의 기판에 대해 에칭 및 세정을 실시한다. 상세하게는, 기판 처리 방법은, 상온보다 고온의 알칼리성의 에칭액을 사용하여, 기판 상에 형성된 실리콘막을 용해시키는 에칭 공정과, 에칭 공정을 거친 기판에 대해, 상온보다 고온의 온수를 사용하여 세정하는 세정 공정을 포함한다.
소정의 기판에 대해 에칭 및 세정을 실시하는 기판 처리 방법으로서,상온보다 고온의 알칼리성의 에칭액을 사용하여, 상기 기판 상에 형성된 실리콘막을 용해시키는 에칭 공정과,상기 에칭 공정을 거친 상기 기판에 대해, 상온보다 고온의 온수를 사용하여 세정하는 세정 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
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