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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2017-0127794 (2017-09-29) | |
공개번호 | 10-2019-0038709 (2019-04-09) | |
등록번호 | 10-2492733-0000 (2023-01-20) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020170127794 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사청구여부 | 있음 (2020-08-24) | |
심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
법적상태 | 등록 |
일 실시예에 따른 구리 플라즈마 식각 방법은, 플라즈마 식각 장치의 공정 챔버 내의 서셉터 위에 기판을 배치하는 단계, 상기 공정 챔버 내로 염화수소를 포함하는 식각 가스를 공급하는 단계, 상기 기판에서 구리를 포함하는 도전층을 플라즈마 식각하는 단계, 그리고 상기 플라즈마 식각하는 동안 상기 서셉터의 온도를 10℃ 이하로 유지하는 단계를 포함한다.
플라즈마 식각 장치의 공정 챔버 내의 서셉터 위에 기판을 배치하는 단계,상기 공정 챔버 내로 염화수소 및 H2 가스를 포함하는 식각 가스를 공급하는 단계,상기 기판에서 구리를 포함하는 도전층을 플라즈마 식각하는 단계, 그리고상기 플라즈마 식각하는 동안 상기 서셉터의 온도를 10℃ 미만으로 유지하는 단계를 포함하며,상기 염화수소에 대한 상기 H2 가스의 유량비가 0.5 이하이고,상기 플라즈마 식각은 120초 내지 300초 동안 수행되는 구리 플라즈마 식각 방법.
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