$\require{mediawiki-texvc}$

연합인증

연합인증 가입 기관의 연구자들은 소속기관의 인증정보(ID와 암호)를 이용해 다른 대학, 연구기관, 서비스 공급자의 다양한 온라인 자원과 연구 데이터를 이용할 수 있습니다.

이는 여행자가 자국에서 발행 받은 여권으로 세계 각국을 자유롭게 여행할 수 있는 것과 같습니다.

연합인증으로 이용이 가능한 서비스는 NTIS, DataON, Edison, Kafe, Webinar 등이 있습니다.

한번의 인증절차만으로 연합인증 가입 서비스에 추가 로그인 없이 이용이 가능합니다.

다만, 연합인증을 위해서는 최초 1회만 인증 절차가 필요합니다. (회원이 아닐 경우 회원 가입이 필요합니다.)

연합인증 절차는 다음과 같습니다.

최초이용시에는
ScienceON에 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 로그인 (본인 확인 또는 회원가입) → 서비스 이용

그 이후에는
ScienceON 로그인 → 연합인증 서비스 접속 → 서비스 이용

연합인증을 활용하시면 KISTI가 제공하는 다양한 서비스를 편리하게 이용하실 수 있습니다.

구리 플라즈마 식각 방법 및 디스플레이 패널 제조 방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/등록특허
국제특허분류(IPC8판)
  • H01L-021/3065
  • G02F-001/1362
  • H01L-021/311
  • H10K-059/00
  • H10K-071/00
출원번호 10-2017-0127794 (2017-09-29)
공개번호 10-2019-0038709 (2019-04-09)
등록번호 10-2492733-0000 (2023-01-20)
DOI http://doi.org/10.8080/1020170127794
발명자 / 주소
  • 김상갑 / 서울특별시 강동구 고덕로 ***, ***동 ****호 (명일동, 삼익그린맨션)
  • 홍문표 / 경기도 성남시 분당구 백현로 ***, ***동 ***호 (정자동, 한솔마을한일아파트)
  • 조현민 / 경기도 화성시 동탄지성로 **, ***동 ****호 (반송동, 동탄시범한빛마을 동탄아이파크)
  • 권성용 / 경상북도 안동시 태화길 ***(태화동)
  • 윤호원 / 서울특별시 강북구 한천로***길 **, ***동 ***호 (번동, 솔그린아파트)
출원인 / 주소
  • 삼성디스플레이 주식회사 / 경기도 용인시 기흥구 삼성로 * (농서동)
  • 고려대학교 세종산학협력단 / 세종특별자치시 조치원읍 세종로 **** (고려대학교세종캠퍼스내)
대리인 / 주소
  • 팬코리아특허법인
심사청구여부 있음 (2020-08-24)
심사진행상태 등록결정(일반)
법적상태 등록

초록

일 실시예에 따른 구리 플라즈마 식각 방법은, 플라즈마 식각 장치의 공정 챔버 내의 서셉터 위에 기판을 배치하는 단계, 상기 공정 챔버 내로 염화수소를 포함하는 식각 가스를 공급하는 단계, 상기 기판에서 구리를 포함하는 도전층을 플라즈마 식각하는 단계, 그리고 상기 플라즈마 식각하는 동안 상기 서셉터의 온도를 10℃ 이하로 유지하는 단계를 포함한다.

대표청구항

플라즈마 식각 장치의 공정 챔버 내의 서셉터 위에 기판을 배치하는 단계,상기 공정 챔버 내로 염화수소 및 H2 가스를 포함하는 식각 가스를 공급하는 단계,상기 기판에서 구리를 포함하는 도전층을 플라즈마 식각하는 단계, 그리고상기 플라즈마 식각하는 동안 상기 서셉터의 온도를 10℃ 미만으로 유지하는 단계를 포함하며,상기 염화수소에 대한 상기 H2 가스의 유량비가 0.5 이하이고,상기 플라즈마 식각은 120초 내지 300초 동안 수행되는 구리 플라즈마 식각 방법.

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (5)

  1. [일본] METHOD AND EQUIPMENT FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE | NAKAISHI MASAFUMI
    상세보기
  2. [미국] Process for low temperature, dry etching, and dry planarization of copper | Kulkarni,Nagraj
    상세보기
  3. [미국] INTEGRATED APPARATUS FOR EFFICIENT REMOVAL OF HALOGEN RESIDUES FROM ETCHED SUBSTRATES | Kawaguchi,Mark Naoshi, Lo,Kin Pong, Hoogensen,Brett Christian, Wen,Sandy M., Kim,Steven H.
    상세보기
  4. [미국] AMORPHOUS OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM TRANSISTOR FABRICATION METHOD | PAN, Yaoling, KIM, Cheonhong, CHANG, Tallis Young
    상세보기
  5. [미국] PROCESS FOR ETCHING METAL USING A COMBINATION OF PLASMA AND SOLID STATE SOURCES | Deshmukh, Subhash, Johnson, Joseph, Liu, Jingjing, Ren, He
    상세보기

관련 콘텐츠

이 특허와 함께 이용한 콘텐츠

저작권 관리 안내
섹션별 컨텐츠 바로가기

AI-Helper ※ AI-Helper는 오픈소스 모델을 사용합니다.

AI-Helper 아이콘
AI-Helper
안녕하세요, AI-Helper입니다. 좌측 "선택된 텍스트"에서 텍스트를 선택하여 요약, 번역, 용어설명을 실행하세요.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.

선택된 텍스트

맨위로