ZnSe 를 포함하는 반도체 나노결정 입자의 제조 방법, 이로부터 제조된 양자점, 및 이를 포함한 전자소자를 제공한다. 상기 방법은, 카르복시산 화합물, 1차 아민 화합물, 화학식 1로 나타내어지는 2차 아마이드 화합물, 및 유기 용매를 포함하는 유기 리간드 혼합물을 얻는 단계;[화학식 1]RCONHR상기 유기 리간드 혼합물을 불활성 분위기에서 제1 온도로 가열하는 단계; 상기 가열된 유기 리간드 혼합물에, 아연 전구체, 셀레늄 전구체, 및 선택에 따라 텔루리움 전구체를 부가하고 반응 혼합물을 얻되, 상기 아연 전구체는 산소를 포함
ZnSe 를 포함하는 반도체 나노결정 입자의 제조 방법, 이로부터 제조된 양자점, 및 이를 포함한 전자소자를 제공한다. 상기 방법은, 카르복시산 화합물, 1차 아민 화합물, 화학식 1로 나타내어지는 2차 아마이드 화합물, 및 유기 용매를 포함하는 유기 리간드 혼합물을 얻는 단계;[화학식 1]RCONHR상기 유기 리간드 혼합물을 불활성 분위기에서 제1 온도로 가열하는 단계; 상기 가열된 유기 리간드 혼합물에, 아연 전구체, 셀레늄 전구체, 및 선택에 따라 텔루리움 전구체를 부가하고 반응 혼합물을 얻되, 상기 아연 전구체는 산소를 포함하지 않는 단계; 및상기 반응 혼합물을 제1 반응 온도로 유지하여 제1 반도체 나노결정 입자를 합성하는 단계를 포함한다.
대표청구항▼
ZnSe 를 포함하는 반도체 나노결정 입자의 제조 방법으로서,카르복시산 화합물, 1차 아민 화합물, 화학식 1로 나타내어지는 2차 아마이드 (secondary amide) 화합물, 및 유기 용매를 포함하는 유기 리간드 혼합물을 얻는 단계;[화학식 1]RCONHR여기서, R은, 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 탄소수 5 이상의 치환 또는 비치환의 지방족 탄화수소, 탄소수 6 이상의 치환 또는 비치환의 방향족 탄화수소, 탄소수 3 이상의 치환 또는 비치환의 지환족 탄화수소, 또는 이들의 조합이고, 상기 유기 리간드 혼합물을 불활성
ZnSe 를 포함하는 반도체 나노결정 입자의 제조 방법으로서,카르복시산 화합물, 1차 아민 화합물, 화학식 1로 나타내어지는 2차 아마이드 (secondary amide) 화합물, 및 유기 용매를 포함하는 유기 리간드 혼합물을 얻는 단계;[화학식 1]RCONHR여기서, R은, 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 탄소수 5 이상의 치환 또는 비치환의 지방족 탄화수소, 탄소수 6 이상의 치환 또는 비치환의 방향족 탄화수소, 탄소수 3 이상의 치환 또는 비치환의 지환족 탄화수소, 또는 이들의 조합이고, 상기 유기 리간드 혼합물을 불활성 분위기에서 제1 온도로 가열하는 단계; 상기 가열된 유기 리간드 혼합물에, 아연 전구체, 셀레늄 전구체, 및 선택에 따라 텔루리움 전구체를 부가하고 반응 혼합물을 얻되, 상기 아연 전구체는 산소를 포함하지 않는 단계; 및상기 반응 혼합물을 제1 반응 온도로 유지하여 제1 반도체 나노결정 입자를 합성하는 단계를 포함하는 방법.
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