초록 ▼

본 발명은 반도체 디바이스의 제조 방법에 관한 것으로, 제1단위기판이 다수 배열된 제1기판을 준비하는 제1기판 준비단계와; 제1기판에 몰드층을 형성하는 몰드층 형성단계와; 상기 제1기판의 정해진 다수의 제1접속위치에 상기 몰드층에 레이저빔을 조사하여제1기판의 표면까지 홈을 형성하는 홈 형성단계와; 상기 홈 내의 상기 제1접속위치에 패이스트를 공급하는 패이스트 공급단계와; 상기 제1접속위치에 도전(導電)성 재질의 기둥 형태의 접속체를 세워진 상태로 위치시키는 접속체 마운팅단계와; 상기 패이스트를 용융시켜 상기 접속체를 상기 제1기판에

본 발명은 반도체 디바이스의 제조 방법에 관한 것으로, 제1단위기판이 다수 배열된 제1기판을 준비하는 제1기판 준비단계와; 제1기판에 몰드층을 형성하는 몰드층 형성단계와; 상기 제1기판의 정해진 다수의 제1접속위치에 상기 몰드층에 레이저빔을 조사하여제1기판의 표면까지 홈을 형성하는 홈 형성단계와; 상기 홈 내의 상기 제1접속위치에 패이스트를 공급하는 패이스트 공급단계와; 상기 제1접속위치에 도전(導電)성 재질의 기둥 형태의 접속체를 세워진 상태로 위치시키는 접속체 마운팅단계와; 상기 패이스트를 용융시켜 상기 접속체를 상기 제1기판에 고정시키는 접속체 고정단계와; 제2단위기판이 다수 배열된 제2기판을 준비하여, 상기 제1단위기판의 상측에 제2단위기판이 하나씩 위치하고 상기 제1단위기판의 제1접속위치와 상기 제2단위기판의 제2접속위치가 상기 접속체에 의해 전기적으로 접속되도록 상기 제2기판을 상기 제1기판에 적층하는 제2기판 적층단계를; 포함하여 구성되어, 제1기판과 그 위에 적층되는 제2기판의 접속 위치가 접속체를 매개로 상호 연결되므로, 접속체의 기둥 높이에 의하여 기판에 실장되는 소자의 높이에 무관하게 제1기판과 제2기판을 전기 접속한 상태로 연결할 수 있는 반도체 디바이스의 제조 방법을 제공한다.

대표청구항 ▼

제1단위기판이 다수 배열된 제1기판을 준비하는 제1기판 준비단계와;제1기판에 몰드층을 형성하는 몰드층 형성단계와;상기 제1기판의 정해진 다수의 제1접속위치에 상기 몰드층에 레이저빔을 조사하여 제1기판의 표면까지 홈을 경사지게 형성하는 홈 형성단계와;상기 홈 내의 상기 제1접속위치에 패이스트를 공급하는 패이스트 공급단계와; 주석, 니켈 중 어느 하나 이상의 금속 성분이 포함된 도금층이 외주 표면에 형성되고 도전(導電)성 재질의 기둥 형태의 접속체를 준비하여, 상기 제1접속위치의 상기 홈에 상기 접속체를 세워진 상태로 위치시키는 접속체

제1단위기판이 다수 배열된 제1기판을 준비하는 제1기판 준비단계와;제1기판에 몰드층을 형성하는 몰드층 형성단계와;상기 제1기판의 정해진 다수의 제1접속위치에 상기 몰드층에 레이저빔을 조사하여 제1기판의 표면까지 홈을 경사지게 형성하는 홈 형성단계와;상기 홈 내의 상기 제1접속위치에 패이스트를 공급하는 패이스트 공급단계와; 주석, 니켈 중 어느 하나 이상의 금속 성분이 포함된 도금층이 외주 표면에 형성되고 도전(導電)성 재질의 기둥 형태의 접속체를 준비하여, 상기 제1접속위치의 상기 홈에 상기 접속체를 세워진 상태로 위치시키는 접속체 마운팅단계와;레이저빔을 조사하여 상기 접속체의 상부에 도달한 상기 레이저빔의 출력 에너지에 의해 상기 도금층의 금속 성분이 용융되어 흘러내리고, 상기 레이저빔의 출력에너지가 상기 접속체를 통해 상기 패이스트를 용융시켜, 용융된 도금층과 상기 패이스트가 함께 상기 접속체를 상기 제1기판에 고정시키는 접속체 고정단계와;제2단위기판이 다수 배열된 제2기판을 준비하여, 상기 제1단위기판의 상측에 제2단위기판이 하나씩 위치하고 상기 제1단위기판의 제1접속위치와 상기 제2단위기판의 제2접속위치가 상기 접속체에 의해 전기적으로 접속되도록 상기 제2기판을 상기 제1기판에 적층하는 제2기판 적층단계를;포함하여 구성되어, 상기 제1단위기판과 상기 제2단위기판이 상기 접속체에 의해 전기적으로 접속하는 반도체 디바이스를 제조하는 반도체 디바이스의 제조 방법.