초록 ▼

본 발명은 광전 반도체 나노와이어 소자 및 그 제조방법을 제공한다. 이 광전 반도체 나노와이어 소자는, 제1 도전형으로 도핑되고, 적어도 하나의 다공성 반도체 세그먼트를 구비하고 상기 다공성 반도체 세그먼트의 양단에 연결되는 결정질 반도체 세그먼트들을 포함하는 반도체 나노와이어; 및 상기 다공성 반도체 세그먼트를 중심으로 상기 결정질 반도체 세그먼트에 각각 배치되어 전기적 연결을 제공하는 제1 전극 및 제2 전극;을 포함한다. 상기 결정질 반도체 세그먼트는 결정질 반도체이고, 상기 다공성 반도체 세그먼트는 다공성 반도체이다. 외부

본 발명은 광전 반도체 나노와이어 소자 및 그 제조방법을 제공한다. 이 광전 반도체 나노와이어 소자는, 제1 도전형으로 도핑되고, 적어도 하나의 다공성 반도체 세그먼트를 구비하고 상기 다공성 반도체 세그먼트의 양단에 연결되는 결정질 반도체 세그먼트들을 포함하는 반도체 나노와이어; 및 상기 다공성 반도체 세그먼트를 중심으로 상기 결정질 반도체 세그먼트에 각각 배치되어 전기적 연결을 제공하는 제1 전극 및 제2 전극;을 포함한다. 상기 결정질 반도체 세그먼트는 결정질 반도체이고, 상기 다공성 반도체 세그먼트는 다공성 반도체이다. 외부 광이 상기 다공성 반도체 세그먼트에 조사된 경우, 상기 반도체 나노와이어는 상기 외부 광의 세기에 따라 전류를 제공한다.

대표청구항 ▼

제1 도전형으로 도핑되고, 적어도 하나의 다공성 반도체 세그먼트를 구비하고 상기 다공성 반도체 세그먼트의 양단에 연결되는 결정질 반도체 세그먼트들을 포함하는 반도체 나노와이어; 및상기 다공성 반도체 세그먼트를 중심으로 상기 결정질 반도체 세그먼트에 각각 배치되어 전기적 연결을 제공하는 제1 전극 및 제2 전극;을 포함하고,상기 결정질 반도체 세그먼트는 결정질 반도체이고,상기 다공성 반도체 세그먼트는 다공성 반도체이고,외부 광이 상기 다공성 반도체 세그먼트에 조사된 경우, 상기 반도체 나노와이어는 상기 외부 광의 세기에 따라 전류를

제1 도전형으로 도핑되고, 적어도 하나의 다공성 반도체 세그먼트를 구비하고 상기 다공성 반도체 세그먼트의 양단에 연결되는 결정질 반도체 세그먼트들을 포함하는 반도체 나노와이어; 및상기 다공성 반도체 세그먼트를 중심으로 상기 결정질 반도체 세그먼트에 각각 배치되어 전기적 연결을 제공하는 제1 전극 및 제2 전극;을 포함하고,상기 결정질 반도체 세그먼트는 결정질 반도체이고,상기 다공성 반도체 세그먼트는 다공성 반도체이고,외부 광이 상기 다공성 반도체 세그먼트에 조사된 경우, 상기 반도체 나노와이어는 상기 외부 광의 세기에 따라 전류를 제공하고,상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에는 외부 전압이 인가되고,상기 외부 광이 상기 결정질 반도체 세그먼트의 밴드갭에 대응하는 문턱 파장 초과한 경우에도, 상기 전류가 제공되는 것을 특징으로 하는 광전 반도체 나노와이어 소자.