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NTIS 바로가기국가/구분 | 한국(KR)/공개특허 | |
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국제특허분류(IPC8판) |
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출원번호 | 10-2017-0147532 (2017-11-07) | |
공개번호 | 10-2019-0051656 (2019-05-15) | |
DOI | http://doi.org/10.8080/1020170147532 | |
발명자 / 주소 | ||
출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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심사진행상태 | 거절결정(일반) | |
법적상태 | 거절 |
본 발명에 따르면, 식각 조성물, 실리콘 질화막의 식각 방법, 및 반도체 소자의 제조 방법이 제공된다. 식각 조성물은 인산; 암모늄계 화합물; 염산 및 폴리인산염계 화합물 중에서 적어도 하나; 및 실리콘 함유 화합물을 포함할 수 있다.
인산; 암모늄계 화합물; 염산 및 폴리인산염계 화합물 중에서 적어도 하나; 및아래의 화학식 2로 표시되는 실리콘 함유 화합물을 포함하는 식각 조성물. [화학식 2]화학식 2에서, R2는 수소, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 1 내지 10의 아미노 알킬기, 탄소수 1 내지 10의 아미노 알콕시기, 및 탄소수 1 내지 10의 알콕시 아미노기 중에서 선택된 어느 하나이고, R3, R4, 및 R5는 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 1 내지 10의 아미노 알킬기, 탄소수 1 내지 10의 아미노 알콕시기
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