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ZnTe/ZnSe 코어/쉘 양자점 및 그 제조방법 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 한국(KR)/공개특허
국제특허분류(IPC8판)
  • C09K-011/88
  • C09K-011/02
출원번호 10-2017-0168448 (2017-12-08)
공개번호 10-2019-0068242 (2019-06-18)
DOI http://doi.org/10.8080/1020170168448
발명자 / 주소
  • 방지원 / 경상남도 진주시 대신로 ***-**
  • 김미성 / 경상남도 진주시 칠암동 현대아파트 가-***호
출원인 / 주소
  • 한국세라믹기술원 / 경상남도 진주시 소호로 *** (충무공동, 부속건물세라믹소재종합지원센터)
대리인 / 주소
  • 이두희
심사청구여부 있음 (2017-12-08)
심사진행상태 거절결정(일반)
법적상태 거절

초록

본 발명은 ZnTe 코어 양자점과 상기 ZnTe 코어 양자점을 둘러싼 ZnSe 쉘 양자점을 포함한 ZnTe/ZnSe 양자점으로서 갈륨 및 알루미늄 중의 하나 이상이 도핑된 ZnTe/ZnSe 양자점을 개시한다. 이리하면, 상기 도핑 원소가 상기 양자점에 내재하는 Zn 공공들을 치환하고 따라서 이들 공공에 의한 광 여기 캐리어들의 포획이 효과적으로 방지되어 자발 소광 현상이 억제되고 밴드 갭에 생성된 불순물 준위로 인하여 불순물 준위 및 가전자대 간에, 또는 전도대 및 불순물 준위 간에 전이가 쉽게 일어나 광 방출이 크게 증진된다. 이

대표청구항

ZnTe 코어 양자점과 상기 ZnTe 코어 양자점을 둘러싼 ZnSe 쉘 양자점을 포함한 ZnTe/ZnSe 양자점에 있어서,갈륨 및 알루미늄 중의 하나 이상이 도핑된 ZnTe/ZnSe 양자점.

발명자의 다른 특허 :

이 특허에 인용된 특허 (1)

  1. [한국] 3족원소 도핑된 CdSe 양자점 및 그 제조 방법 | 김지용, 박찬우, 류호현, 이규동
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